图案形成方法和基板处理系统

发明授权

请登陆查看更多内容

专利标题： 图案形成方法和基板处理系统
申请号： CN201380030754.5

申请日： 2013-07-10
公开(公告)号： CN104380440B

公开(公告)日： 2016-12-07
发明人: 久保田和宏 , 清水隆吉
申请人： 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
代理商 龙淳
优先权： 2012-155359 2012.07.11 JP 61/672,399 2012.07.17 US
国际申请： PCT/JP2013/068883 2013.07.10
国际公布： WO2014/010630 JA 2014.01.16
进入国家日期： 2014-12-11
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; C23C16/42 ; C23C16/455 ; C23C16/511 ; H01L21/31 ; H01L21/316 ; H01L21/318

摘要：

本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。

公开/授权文献

CN104380440A 图案形成方法和基板处理系统公开/授权日：2015-02-25

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀