本发明公开了一种锗硅异质结双极型晶体管制造方法，是在牺牲介质层淀积和基区窗口打开后，形成一个侧墙并进行高剂量的离子注入，它可以和从重掺杂的基区多晶硅扩散到有源区的较浅的外基区重掺杂一起形成分级的外基区掺杂区。在发射极窗口形成后，进行小剂量低能量的选择性集电区离子注入。由于上面的两次离子注入都是自对准进行的，在分别降低外基区电阻和集电区电阻的同时，可以控制基区-集电区电容为最低，这样可极大地提高器件的射频特性，如特征频率、功率增益等，工艺流程简单易于实施。