公开(公告)号：CN118352306A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410474715.4

申请日：2024-04-18

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司 ,  上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘丙永 ,  黄景丰 ,  陈曦 ,  杨继业

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本申请提供一种硅通孔与半导体器件的集成方法，在半导体器件上的接触结构上先形成第一开口，然后在第一开口中形成牺牲层，接着在半导体器件侧的硅衬底上形成硅通孔，接着又回刻去除牺牲层以重新打开第一开口，最后在第一开口和硅通孔中同时形成金属层，以实现硅通孔和所述半导体器件的互连，从而实现硅通孔与半导体器件的集成，相较于传统的硅通孔与半导体器件的集成方案，本申请提供的硅通孔与半导体器件的集成方法工艺步骤更简化，制造成本更低。

公开(公告)号：CN118098958A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410182326.4

申请日：2024-02-18

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司 ,  上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘丙永 ,  黄景丰 ,  陈曦 ,  杨继业

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/165

摘要： 本发明提供一种HBT器件的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在衬底上形成外延层；在外延层上形成第一电介质层，在第一电介质层上形成第二电介质层，利用光刻、刻蚀在第一、二电介质层上形成位于有源区上方的沟槽；形成覆盖沟槽的第一多晶硅层，在第一多晶硅层上形成第三电介质层，利用光刻、刻蚀图形化第三电介质层及其下方的第一多晶硅层、第二电介质层，形成位于有源区上方的叠层结构；在叠层结构上形成第四电介质层，之后刻蚀第四电介质层至第一电介质层裸露；刻蚀第一电介质层至其部分保留在第一多晶硅层的底端侧壁。本发明减少一张光罩的同时也解决了光刻套准的问题，减轻侧墙形成时湿法刻蚀的工艺难度。

公开(公告)号：CN117219509A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311191678.8

申请日：2023-09-14

申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司 ,  上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘丙永 ,  陈曦 ,  黄景丰 ,  杨继业

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

摘要： 本申请提供一种锗硅异质结晶体管及其制造方法，其中制造方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有锗硅层、第一介质层和第二介质层；形成第一开口；形成第二开口；在第二开口、第一开口中以及第二介质层上形成第一多晶硅层；刻蚀STI上方的第一多晶硅层、第二介质层；形成第三介质层；去除第一介质层表面的第三介质层；采用湿法刻蚀工艺去除STI上方的第一介质层以及去除第二介质层底部的部分第一介质层；形成第二多晶硅层；去除第一多晶硅层顶部的第三介质层。本申请通过湿法刻蚀工艺去除部分第一介质层形成最终的侧墙，可以降低对基区锗硅层界面的损伤，有利于后续锗硅层上的外基区导电层的外延。

公开(公告)号：CN114188405A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111318855.5

申请日：2021-11-09

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈曦 ,  黄景丰 ,  杨继业

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种HBT器件的制造方法，包括：提供一其上形成有重掺杂层和多个场氧化层的衬底；形成集电区；形成第一介质层，所述第一介质层中形成有第一开口；形成基区，并在所述基区生长过程中进行P型离子的在位掺杂；形成第二介质层；刻蚀所述第二介质层至所述基区表面以形成第二开口以及形成发射区，所述发射区具有N型掺杂；其中，在形成所述基区之后的任意一步骤之前，还可以包括：对所述基区执行热处理工艺。本发明还提供一种HBT器件。本申请通过在形成基区之后的任意一步骤之前，对基区执行热处理工艺，可以避免基区中的P型离子的扩散的情况，提高基区的掺杂浓度，降低基区电阻，提高特征频率。

公开(公告)号：CN111883428A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010685512.1

申请日：2020-07-16

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 黄景丰 ,  陈曦 ,  史稼峰 ,  孔蔚然 ,  李冰

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08 ,  H01L29/737

摘要： 本申请公开了一种发射区多晶硅的形成方法及器件，该方法包括：提供一衬底,衬底中形成有集电区，集电区中形成有环绕的隔离层，集电区上形成有基区，基区上形成有环绕设置的第一介质层；在第一介质层和基区的表面沉积形成第一多晶硅层，第一多晶硅层包括第一类型离子掺杂的多晶硅；沉积形成第二多晶硅层，第二多晶硅层填充第一介质层环绕形成的发射区窗口；对第二多晶硅层进行离子注入，注入的离子包括第一类型离子；对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行退火处理，形成发射区多晶硅。本申请能够降低了形成得到的发射区多晶硅中出现缝隙的几率，提高了器件的稳定性和制造良率。

公开(公告)号：CN106847791B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201710003943.3

申请日：2017-01-04

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈曦 ,  周正良 ,  史稼峰

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 本发明公开了一种监控基区宽度的测试结构，包含一个位于测试结构中间区域的哑铃型的图形；在哑铃图形的两端包含有发射极窗口，发射极窗口中间为发射极多晶硅窗口，窗口的中心为接触孔；定义哑铃图形轴向为X方向，垂直于X方向为Y方向；哑铃图形的两端的发射极窗口之间的X方向长度定义为L，哑铃图形手柄区的Y方向宽度定义为W；哑铃图形的外围是由多层逐级嵌套的矩形构成，位于最外圈的是基区多晶硅层，其他向内依次为发射极多晶硅层、发射极层、发射极多晶硅层、发射极多晶硅层。本发明所述的监控基区宽度的测试结构，在芯片级电测试阶段有效监控SiGe基区电阻，这一测试结构可直观地对SiGe HBT的主要工艺过程进行监控，及时发现并解决问题。

公开(公告)号：CN109860046A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910014717.4

申请日：2019-01-08

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈曦 ,  黄景丰

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，包含如下的工艺步骤：第1步，在完成锗硅外延淀积之后，再淀积一层氧化硅；2步，进行牺牲发射极窗口的氮化硅淀积；第3步，牺牲发射极窗口的氮化硅刻蚀；第4步，进行选择性锗硅外基区的生长；第5步，完成锗硅外基区的刻蚀之后，去除牺牲发射极窗口内的氮化硅。本发明所述的锗硅HBT的发射极窗口刻蚀方法，通过将牺牲发射极窗口多晶硅替换为氮化硅，大大简化了工艺流程，同时在后续去除该牺牲层时也不会造成残留问题，并形成更好的器件形貌。

公开(公告)号：CN104425244B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201310365041.6

申请日：2013-08-20

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 周正良 ,  陈曦 ,  潘嘉

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/22

摘要： 本发明公开了一种锗硅异质结双极型晶体管制造方法，是在牺牲介质层淀积和基区窗口打开后，形成一个侧墙并进行高剂量的离子注入，它可以和从重掺杂的基区多晶硅扩散到有源区的较浅的外基区重掺杂一起形成分级的外基区掺杂区。在发射极窗口形成后，进行小剂量低能量的选择性集电区离子注入。由于上面的两次离子注入都是自对准进行的，在分别降低外基区电阻和集电区电阻的同时，可以控制基区-集电区电容为最低，这样可极大地提高器件的射频特性，如特征频率、功率增益等，工艺流程简单易于实施。

公开(公告)号：CN103035727B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210445971.8

申请日：2012-11-09

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 周正良 ,  遇寒 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66681 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明公开了一种RFLDMOS器件，在P型沟道区下方增加了轻掺杂的P型埋层，以及位于轻掺杂P型埋层中的中等掺杂埋层，降低了寄生NPN管的基极电阻，使骤回效应不易发生，沟道及埋层形成的反向二极管可以箝制LDMOS的漏源电压，并将多余的电流下沉到基板上；漏极端较厚的栅氧可降低热载流子效应，源极端较薄的栅氧可提高器件的跨导。本发明还公开了所述RFLDMOS器件的制造方法，在工艺实现上，本发明只是在现有工艺中增加了两步光刻，简单易于实施。

公开(公告)号：CN103137673B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110389000.1

申请日：2011-11-30

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种自对准双极晶体管，通过发射区窗口介质层定义出发射区窗口和外基区自对准注入区，能实现发射区和外基区之间的良好对准；发射区由形成于发射区窗口中的多晶硅和发射区窗口介质层的上层多晶硅膜组成，能使发射区窗口做的很小，从而能减少器件尺寸，并能减少发射区和外基区的耦合区域、从而能降低发射区和基区间的寄生电容，最后能提高器件的频率特性和性能。本发明还公开了一种自对准双极晶体管的制造方法，外基区注入为自对准注入，从而能够节省形成外基区的光刻层，降低工艺成本；形成发射区时对发射极多晶硅进行的回刻为全面回刻，也能节省一层光刻掩模板，降低工艺成本和复杂度。