发明公开
- 专利标题: 一种氮掺杂石墨烯对电极制备方法及其在染料敏化太阳能电池中的应用
- 专利标题(英): Nitrogen-doped graphene counter electrode preparing method and application of nitrogen-doped graphene counter electrode in dye-sensitized solar cell
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申请号: CN201410763091.4申请日: 2014-12-13
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公开(公告)号: CN104465113A公开(公告)日: 2015-03-25
- 发明人: 孙喆 , 张亚珂 , 王辉 , 梁茂 , 薛松
- 申请人: 天津理工大学
- 申请人地址: 天津市西青区宾水西道391号
- 专利权人: 天津理工大学
- 当前专利权人: 天津理工大学
- 当前专利权人地址: 天津市西青区宾水西道391号
- 代理机构: 天津佳盟知识产权代理有限公司
- 代理商 李益书
- 主分类号: H01G9/20
- IPC分类号: H01G9/20
摘要:
本发明涉及光电转换领域,公开了一种氮掺杂石墨烯薄膜对电极的制备方法,具体地是将氧化石墨烯与尿素在酸性环境下进行非均相水热反应得到氮掺杂石墨烯浆料,而后应用刮刀方法制备对电极。同时,本发明公开了该对电极在同染料敏化太阳能电池中的应用。本发明的优点是:染料敏化太阳能电池的短路密度电流获得提高、改善了传统碳材料对电极填充因子低的缺陷,降低了生产成本,有利于染料敏化太阳能电池的广泛应用。