发明公开
- 专利标题: 一种大面积厚GEM的制作工艺
- 专利标题(英): Manufacturing process of large-area thick GEM
-
申请号: CN201410704645.3申请日: 2014-11-29
-
公开(公告)号: CN104465266A公开(公告)日: 2015-03-25
- 发明人: 谢宇广 , 吴军权 , 吕军光 , 陈春 , 武守坤 , 林映生 , 唐宏华
- 申请人: 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 中国科学院高能物理研究所
- 申请人地址: 广东省惠州市大亚湾区响水河龙山六路
- 专利权人: 惠州市金百泽电路科技有限公司,中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人: 惠州市金百泽电路科技有限公司,中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市大亚湾区响水河龙山六路
- 代理机构: 深圳市千纳专利代理有限公司
- 代理商 童海霓; 刘彦
- 主分类号: H01J9/00
- IPC分类号: H01J9/00 ; H01J47/00
摘要:
本发明公开了一种大面积厚GEM的制作工艺,包括阻焊层覆盖、激光开窗、绝缘环加工、通孔成型和阻焊层消褪处理等步骤,采用激光钻孔方式,激光钻孔开窗和激光钻孔通孔成型的双重定位技术进行厚GEM的加工。本发明大面积厚GEM的制作工艺具有成本低、加工精度高和生产效率高等特点。
公开/授权文献
- CN104465266B 一种大面积厚GEM的制作工艺 公开/授权日:2017-01-11