发明授权
- 专利标题： 衬底、芯片布置及其制造方法
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申请号： CN201410490572.2申请日： 2014-09-23
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公开(公告)号： CN104465535B公开(公告)日： 2018-04-06
- 发明人: W·哈布尔 , A·格雷斯曼 , F·温特 , O·盖特纳 , A·施瓦茨 , A·赫布兰特
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国诺伊比贝尔格
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国诺伊比贝尔格
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 郑立柱
- 优先权： 14/034,669 2013.09.24 US
- 主分类号： H01L23/15
- IPC分类号： H01L23/15 ; H01L23/13 ; H01L21/48 ; H01L23/488 ; H01L23/31 ; H01L21/56
摘要：
本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。
公开/授权文献
- CN104465535A 衬底、芯片布置及其制造方法 公开/授权日：2015-03-25