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发明授权
CN104488092B 具有镜层的薄层光电池结构 有权

具有镜层的薄层光电池结构
摘要：
具有镜层的薄层光电池结构。本发明涉及应用于太阳能电池板的光电池结构。该薄层光电池结构包括具有将照射光转换为电能的光电属性的至少一个I‑III‑VI2合金层(CIGS)。特别地，该结构至少包括：一个具有反射一部分照射光的表面(FR)的镜层(MR)，其中该反射表面(FR)面对I‑III‑VI2合金层的第一面(F1)，以在所述第一面上接收反射的照明射光；以及一个或多个对于照射光透明的第一层(CA，ENC)，以在位于第一面(F1)反面的I‑III‑VI2合金层的第二面(F2)上接收传输的照明光。
摘要（英）：

Thin-layer photovoltaic cell structure with mirror layer. The invention relates to a photovoltaic cell structure intended for solar panel applications. The thin layer photovoltaic cell structure comprises at least one I-III-VI2 alloy layer (CIGS) with photovoltaic properties for the conversion of illuminating light into electricity. In particular, the structure comprises at least: one mirror layer (MR) comprising a surface reflecting (FR) a part of the illuminating light, where said reflecting surface (FR) is facing a first face (F1) of the I-III-VI2 alloy layer for receiving reflected illuminating light on said first face; and one or more first layers (CA, ENC) transparent to the illuminating light for receiving transmitted illuminating light on a second face (F2) of the I-III-VI2 alloy layer opposite to the first face (F1).

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/06 ..以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒为特征的
H01L31/072 ...只是PN异质结型势垒的
H01L31/0749 ....包括AIBIIICVI化合物，例如CdS/CuInSe2〔CIS〕的异质结太阳能电池
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