公开(公告)号：CN117894881B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410280491.3

申请日：2024-03-12

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 李伟民 ,  唐玮 ,  俞深 ,  李松 ,  苑欣业 ,  杨春雷

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

摘要： 一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过电离氩气产生高能Ar等离子体，轰击CIGS靶材，在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜，通过调节CIGS靶材中铜的含量，实现对CIGS中空穴浓度的可控调节。本发明采用磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑，且由于所使用靶材中铜的含量不同，吸收层整体空穴浓度得以调节，进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子，有效地提高了电池的性能参数，更大程度的提升电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN113228304B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201980085261.9

申请日：2019-12-12

申请人： 出光兴产株式会社

发明人： 富田仁 ,  杉本广纪

IPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/0749

摘要： 一种光电转换元件(10)，其具有形成于第一电极层(12)与第二电极层(15)之间的光电转换层(13)，光电转换层包含I族元素Cu、Ag、III族元素In、Ga和VI族元素Se、S。光电转换层具有位于受光面侧的表面侧区域(13A)、位于该受光面的背面侧的背面侧区域(13C)、以及位于表面侧区域与背面侧区域之间的中间区域(13B)。在光电转换层的厚度方向上显示带隙的最小值的部位包含在中间区域(13B)中。在将Ag的摩尔量相对于Ag以外的I族元素、III族元素和VI族元素的摩尔量之和的比设为Ag浓度时，在光电转换层的厚度方向上显示Ag浓度的极大值的部位包含在中间区域(13B)中。

公开(公告)号：CN117894881A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410280491.3

申请日：2024-03-12

申请人： 深圳先进技术研究院

发明人： 李伟民 ,  唐玮 ,  俞深 ,  李松 ,  苑欣业 ,  杨春雷

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

摘要： 一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过电离氩气产生高能Ar等离子体，轰击CIGS靶材，在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜，通过调节CIGS靶材中铜的含量，实现对CIGS中空穴浓度的可控调节。本发明采用磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑，且由于所使用靶材中铜的含量不同，吸收层整体空穴浓度得以调节，进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子，有效地提高了电池的性能参数，更大程度的提升电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN117637885A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210964361.2

申请日：2022-08-11

申请人： 国家能源投资集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究院

发明人： 黄星烨 ,  李博研 ,  钟大龙 ,  韩钰

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

摘要： 本公开涉及一种用于太阳能电池的复合吸热薄膜及其制备方法和太阳能电池，在沿远离金属衬底的方向上，所述复合吸热薄膜包括层叠设置的红外反射层、红外吸收层和红外减反射层；所述红外反射层的材料选自Cr和/或CrNx，其中0＜x≤0.2；所述红外吸收层的材料选自CrNy，其中0.2＜y≤0.9；所述红外减反射层的材料选自硅的氮化物、硅的氧化物、铝的氮化物、铝的氧化物、硅的氮氧化物、铝的氮氧化物和Nb2O5中的一种或几种。该复合吸热薄膜在高温制备太阳能电池的吸收层的过程中减少金属衬底背面加热时的热反射，增加升温速率，减少能源消耗。

公开(公告)号：CN105118875B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201510444958.4

申请日：2015-07-27

申请人： 云南师范大学

发明人： 杨雯 ,  赵恒利 ,  杨培志 ,  段良飞 ,  李学铭

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0445

摘要： 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的沉积方法，该方法的特征是采用二乙基锌（DEZn）、双环戊二茂镁（MgCP2）、H2S作为Zn、Mg和S的前躯体源进行原子层沉积，得到Zn1‑xMgxS缓冲层材料。此方法具有沉积速度稳定、薄膜致密性好、性能优异等特点。Zn1‑xMgxS作为CIGS薄膜太阳电池的一种新型缓冲层材料，具有无镉、环境友好的特点；通过调节ZnS的Mg掺杂比例，可得到比ZnS更合适的晶格参数，降低了其与吸收层CIGS界面间的失配度，改善了界面质量；随着Mg含量x的变化，还能调节Zn1‑xMgxS薄膜的带隙，弥补硫化锌带隙偏小的缺点；Zn1‑xMgxS的带隙增加还可增强紫外区的透光率，进而提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率；采用原子层沉积（ALD）制备的薄膜由于致密性好，还可抑制由于薄膜致密性不理想产生的微针孔而导致的电池内部短路现象，改善电池的性能。

公开(公告)号：CN112531048B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011226682.X

申请日：2020-11-06

申请人： 凯盛光伏材料有限公司

发明人： 彭寿 ,  徐根保 ,  郭小佳 ,  张建伟 ,  韩福英 ,  孙旭

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开一种铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池，包括相串联的下电池与上电池，所述下电池包含基底，基底顶面由下至上依次层叠有Mo电极层、CIS膜层、CIGS膜层、下In2S3膜层、下i‑ZnO膜层与下AZO膜层；所述上电池包含带有通孔的玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次层叠有ITO膜层、CGS膜层、上In2S3膜层、上i‑ZnO膜层与上AZO膜层；通孔内填充有连接下AZO膜层与上ITO膜层的导电介质；在制备时，各个膜层依次通过磁控溅射与蒸镀即可制得；该太阳能电池的转换效率高、量子效率高，能够显著提高开路电压和填充因子，提高电池效率，并且工艺简单、制备方便。

公开(公告)号：CN114899273A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210353776.6

申请日：2022-04-06

申请人： 尚越光电科技股份有限公司

发明人： 刘宽菲 ,  任宇航 ,  沈凯 ,  任宇珂

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/048 ,  H01L31/049 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明公开了一种延长柔性CIGS电池组件寿命并降低成本的方法，用CIGS电池高碱金属掺杂技术，减少碱金属流失对CIGS芯片效率的影响，提高CIGS电池组件的长期使用的稳定性。利用柔性CIGS预封装技术实现CIGS电池的表面钝化，减少CIGS芯片对水汽的敏感度。利用复合干燥剂的封装胶膜，吸收透过封装材料中水汽，避免过饱和的水汽析出对CIGS芯片产生腐蚀，使得低成本的封装材料能够实现高成本封装胶膜的阻隔性能，从而有效降低成本。

公开(公告)号：CN109273550B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810617737.6

申请日：2018-06-15

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 增田泰造 ,  峯元高志 ,  新泽雄高

IPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种CIS太阳能电池的制造方法，其包括：准备层状构件的工序，所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层，在第一温度以上的条件下将CIS层成膜于第一电极层上，并在CIS层上形成第二电极层而成的；使层状构件的温度成为比第一温度低的第二温度的工序；在第二电极层上形成固体状态下的线膨胀系数比基板大的层形成物质的层的工序；和将层状构件冷却的工序，随着由层状构件的冷却实现的层形成物质的层的收缩，使CIS层从第一电极层剥离，得到薄膜状CIS太阳能电池。

公开(公告)号：CN113644146A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110906752.4

申请日：2021-08-09

申请人： 重庆文理学院

发明人： 唐华 ,  唐明睿 ,  程江 ,  李璐

IPC分类号： H01L31/0272 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

摘要： 一种用于太阳能电池的薄膜，其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se)，其中x=0.25~1.0；本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高，结晶度好、晶粒尺寸大，孔洞、缝隙等缺陷少，本发明方法降低了Se对薄膜结构损害，制备的薄膜致密性、均匀性优异，以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能，Jsc达到20.65mA cm‑2，FF达到42.8%，PEC达到最大值为1.98%，EQE达到70%；均有优异的稳定性。

公开(公告)号：CN111029439B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201911264138.1

申请日：2019-12-11

申请人： 河北大学

发明人： 于威 ,  戴万雷 ,  薛朝伟 ,  王新占 ,  高超 ,  滕晓云

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供了一种无硒化制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法，其是在沉积有阻挡层的基片上制备一层碱金属‑钼复合层，然后引入碱金属调控层，并在高温的基片上，在无额外硒气氛补充的情况下，溅射铜铟镓硒吸收层，可通过碱金属调控层的厚度和处理时间实现碱金属向吸收层扩散量的精确调控，从而控制吸收层内部的掺杂浓度和吸收层的择优取向、晶粒尺寸。本发明吸收层一次溅射成型，工艺简单且一致性较好。制备完成的CIGS薄膜太阳能电池效率高，电池的均匀性好，具有广阔的应用前景。