发明公开
- 专利标题: 一种多孔金刚石薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of porous diamond film
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申请号: CN201410727811.1申请日: 2014-12-04
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公开(公告)号: CN104498894A公开(公告)日: 2015-04-08
- 发明人: 冯双龙 , 陆文强 , 宋金会 , 王凤丽 , 王亮 , 李振湖
- 申请人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
- 申请人地址: 重庆市北碚区方正大道266号
- 专利权人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
- 当前专利权人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
- 当前专利权人地址: 重庆市北碚区方正大道266号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 李强
- 主分类号: C23C16/27
- IPC分类号: C23C16/27 ; C23C16/511
摘要:
本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法,将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中,所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂;将真空度控制在10-30毫巴,通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域,加热至750-850℃;沉积得到块体的金刚石薄膜;将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧,得到多孔金刚石薄膜。该方法不需要模板,也无需复杂的预处理工艺和高温过程,能够避免金属污染,使处理工序更加简化。
公开/授权文献
- CN104498894B 一种多孔金刚石薄膜的制备方法 公开/授权日:2017-02-22