- 专利标题: 温度检测部、衬底处理装置和半导体装置的制造方法
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申请号: CN201410380519.7申请日: 2012-07-13
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公开(公告)号: CN104501977B公开(公告)日: 2017-09-08
- 发明人: 小杉哲也 , 上野正昭 , 山口英人
- 申请人: 株式会社日立国际电气
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立国际电气
- 当前专利权人: 株式会社国际电气
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 陈伟; 李文屿
- 优先权: 2011-154941 20110713 JP 2012-093663 20120417 JP
- 主分类号: G01K1/12
- IPC分类号: G01K1/12 ; G01K7/02 ; G01K7/04 ; H01L21/67
摘要:
本发明提供一种能够抑制热电偶线材因经时变化而断线、热电偶接合部的位置偏离的温度检测装置、衬底处理装置和半导体装置的制造方法。该温度检测装置具有绝缘管、热电偶线材和缓冲区域,该绝缘管以沿铅垂方向延伸的方式设置,具有铅垂方向的贯穿孔;该热电偶线材在上端具有热电偶接合部,且穿过上述绝缘管的贯穿孔,从上述绝缘管的下端伸出的铅垂方向的部分的朝向改变为水平方向;该缓冲区域是设于上述绝缘管的下方的空间,且抑制从上述绝缘管的下端伸出的热电偶线材的热膨胀被拘束,以将上述热电偶线材的上部或铅垂方向的中间部支承于上述绝缘管的方式构成温度检测装置。
公开/授权文献
- CN104501977A 温度检测部、衬底处理装置和半导体装置的制造方法 公开/授权日:2015-04-08