-
公开(公告)号：CN102194661B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110048669.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供能够实现高精度的工艺规程处理及高安全性的热处理装置及衬底的制造方法。热处理装置(10)具有：对衬底进行处理的反应管(42)；支承反应管(42)的歧管(44)；设置在反应管(42)的周围且对反应管(42)内进行加热的加热器(46)；以包围与加热器(46)相比位于下方的反应管(42)的侧方的方式设置的包围部(500)；对包围部(500)和反应管(42)之间的间隙(506)进行强制排气的排气装置(301)；设置在反应管(42)和歧管(44)之间的抵接部上的密闭部件(150)，在包围部(500)上设置有供排气装置将包围部(500)的外侧的环境气体向间隙(506)吸入的吸气口(501)。
-
公开(公告)号：CN101964303B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201010236145.3
申请日：2010-07-21
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法，其课题在于，抑制发热体的偏移，并抑制基于发热体的热变形的保持件的剪切，抑制发热体发生了热膨胀时的发热体与隔热体的接触，降低加热装置的构成部件的损伤。加热装置具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在谷部的末端，作为具有比谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在发热体的外周；保持体，该保持体配置在保持体承受部内并固定在隔热体上，并且加热装置具有：形成为环状的发热体；以围绕发热体的外周的方式设置的隔热体；将发热体固定在隔热体的内壁上的固定部，设定为：至少在发热体为室温状态时，发热体与隔热体的内壁之间的距离随着从固定部远离而变大。
-
公开(公告)号：CN101764049A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910260889.6
申请日：2009-12-24
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/45502 , C23C16/45578 , H01L21/67011 , H01L21/67109 , H01L21/67309
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。能够抑制向基板背面的成膜且能够在多张基板的表面上成批地形成所期望的膜。其具有：反应容器，在内部对基板进行处理；支承体，在使上表面露出的水平状态下将基板收纳在凹部中，并由导电性材料形成为板状；支承体保持体，将至少所述支承体水平保持成多层；感应加热装置，在所述反应容器内对至少保持在所述支承体保持体上的所述支承体进行感应加热。由此，能够抑制向基板背面的成膜且能够在多张基板的表面上成批地形成所期望的膜。
-
公开(公告)号：CN101040235A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580034896.4
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: G05D23/1931 , G05B5/01 , G05B11/42 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 热处理设备中的温度调整方法，该热处理设备具有对处理衬底的处理室内进行加热的加热装置、控制该加热装置的加热控制部、配置在上述处理室内的靠近上述衬底的位置的第一温度检测装置、以及配置在比该第一温度检测装置更靠近上述加热装置的位置的第二温度检测装置，上述温度调整方法包括：第一步骤，进行积分运算、微分运算和比例运算来控制上述加热装置，以使上述第一温度检测装置的检测温度为预定的目标温度；第二步骤，根据在上述第一步骤的上述加热装置的控制中由上述第一温度检测装置检测的检测温度，将用于控制上述加热装置的第一操作量模式化，求出第一输出控制模式；第三步骤，根据上述第一输出控制模式控制上述加热装置；以及第四步骤，根据在上述第三步骤的上述加热装置的控制中由上述第二温度检测装置检测的检测温度，将用于控制上述加热装置的第二操作量的至少一部分模式化，求出第二输出控制模式。
-
公开(公告)号：CN102456596B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110319007.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/67248 , C23C14/541 , C23C16/4584 , C23C16/52 , G05D23/1931 , G05D23/22 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置。能够抑制利用温度传感器控制热处理时的不良情况。衬底处理装置具有：加热机构，其对收容衬底的处理室进行加热；第一温度检测机构，其利用第一热电偶对衬底的附近的温度进行检测；第二温度检测机构，其利用第二热电偶对加热机构的附近的温度进行检测；第一控制机构，其根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对加热机构进行控制；控制切换机构，其以控制机构对第一控制模式和第二控制模式进行切换的方式，根据由第一温度检测机构检测的温度及由第二温度检测机构检测的温度对控制机构进行控制，第一热电偶的耐热性比第二热电偶的耐热性大，第二热电偶的温度检测性能比第一热电偶的温度检测性能高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102879116B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210246306.6
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: G01K7/02 , H01L21/205 , H01L21/225
CPC classification number: H01L22/10 , C23C16/0209 , G01K1/12 , G01K7/026 , G01K7/04 , G01K13/02 , G01K2013/024 , H01L21/67248 , H01L22/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制热电偶线材因经时变化而断线、热电偶接合部的位置偏离的温度检测装置、衬底处理装置和半导体装置的制造方法。该温度检测装置具有绝缘管、热电偶线材和缓冲区域，该绝缘管以沿铅垂方向延伸的方式设置，具有铅垂方向的贯穿孔；该热电偶线材在上端具有热电偶接合部，且穿过上述绝缘管的贯穿孔，从上述绝缘管的下端伸出的铅垂方向的部分的朝向改变为水平方向；该缓冲区域是设于上述绝缘管的下方的空间，且抑制从上述绝缘管的下端伸出的热电偶线材的热膨胀被拘束，以将上述热电偶线材的上部或铅垂方向的中间部支承于上述绝缘管的方式构成温度检测装置。
-
公开(公告)号：CN101964303A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010236145.3
申请日：2010-07-21
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供加热装置、处理衬底的衬底处理装置、以及半导体装置的制造方法，其课题在于，抑制发热体的偏移，并抑制基于发热体的热变形的保持件的剪切，抑制发热体发生了热膨胀时的发热体与隔热体的接触，降低加热装置的构成部件的损伤。加热装置具有：发热体，该发热体的两端固定，通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状；保持体承受部，该保持体承受部分别设在谷部的末端，作为具有比谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成；隔热体，该隔热体设置在发热体的外周；保持体，该保持体配置在保持体承受部内并固定在隔热体上，并且加热装置具有：形成为环状的发热体；以围绕发热体的外周的方式设置的隔热体；将发热体固定在隔热体的内壁上的固定部，设定为：至少在发热体为室温状态时，发热体与隔热体的内壁之间的距离随着从固定部远离而变大。
-
公开(公告)号：CN100576127C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580034896.4
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: G05D23/1931 , G05B5/01 , G05B11/42 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 热处理设备中的温度调整方法，该热处理设备具有对处理衬底的处理室内进行加热的加热装置、控制该加热装置的加热控制部、配置在上述处理室内的靠近上述衬底的位置的第一温度检测装置、以及配置在比该第一温度检测装置更靠近上述加热装置的位置的第二温度检测装置，上述温度调整方法包括：第一步骤，进行积分运算、微分运算和比例运算来控制上述加热装置，以使上述第一温度检测装置的检测温度为预定的目标温度；第二步骤，根据在上述第一步骤的上述加热装置的控制中由上述第一温度检测装置检测的检测温度，将用于控制上述加热装置的第一操作量模式化，求出第一输出控制模式；第三步骤，根据上述第一输出控制模式控制上述加热装置；以及第四步骤，根据在上述第三步骤的上述加热装置的控制中由上述第二温度检测装置检测的检测温度，将用于控制上述加热装置的第二操作量的至少一部分模式化，求出第二输出控制模式。
-
公开(公告)号：CN106920760A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610154146.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由热导致的移载室的延伸的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有：处理室，对衬底进行处理；轴，设置于移载室；衬底载置台，与轴连接，并具有加热部；第一隔热部，设置于移载室的壁的处理室侧；第二隔热部，设置于轴的衬底载置台侧。
-
公开(公告)号：CN104501977A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410380519.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L22/10 , C23C16/0209 , G01K1/12 , G01K7/026 , G01K7/04 , G01K13/02 , G01K2013/024 , H01L21/67248 , H01L22/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制热电偶线材因经时变化而断线、热电偶接合部的位置偏离的温度检测装置、衬底处理装置和半导体装置的制造方法。该温度检测装置具有绝缘管、热电偶线材和缓冲区域，该绝缘管以沿铅垂方向延伸的方式设置，具有铅垂方向的贯穿孔；该热电偶线材在上端具有热电偶接合部，且穿过上述绝缘管的贯穿孔，从上述绝缘管的下端伸出的铅垂方向的部分的朝向改变为水平方向；该缓冲区域是设于上述绝缘管的下方的空间，且抑制从上述绝缘管的下端伸出的热电偶线材的热膨胀被拘束，以将上述热电偶线材的上部或铅垂方向的中间部支承于上述绝缘管的方式构成温度检测装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.03 seconds)
