Invention Grant
- Patent Title: 半导体装置以及半导体存储器中的消去次数的检索方法
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Application No.: CN201410514791.XApplication Date: 2014-09-30
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Publication No.: CN104517651BPublication Date: 2020-01-24
- Inventor: 松本拓也 , 宫崎聪司 , 前田智行
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 闫小龙; 王忠忠
- Priority: 2013-205003 2013.09.30 JP
- Main IPC: G11C16/26
- IPC: G11C16/26 ; G06F12/02

Abstract:
本发明涉及能从半导体存储器高速地检索消去次数最小的区块的半导体装置以及半导体存储器中的消去次数的检索方法。本发明根据检索开始命令,生成由每个区块的地址的系列构成的读出地址信号,通过将该读出地址信号供给到区块管理存储器,从而从区块管理存储器连续地读出与各区块对应的消去次数数据片的系列。然后,在从区块管理存储器读出的消去次数数据片示出比最小消去次数数据片小的消去次数的情况下,导入并保持该消去次数数据片,将其作为上述最小消去次数数据片输出,并且导入并保持读出地址信号,将由该读出地址信号示出的地址作为最小消去次数地址输出。
Public/Granted literature
- CN104517651A 半导体装置以及半导体存储器中的消去次数的检索方法 Public/Granted day:2015-04-15
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