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公开(公告)号：CN104517651B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201410514791.X
申请日：2014-09-30
申请人： 拉碧斯半导体株式会社
摘要： 本发明涉及能从半导体存储器高速地检索消去次数最小的区块的半导体装置以及半导体存储器中的消去次数的检索方法。本发明根据检索开始命令，生成由每个区块的地址的系列构成的读出地址信号，通过将该读出地址信号供给到区块管理存储器，从而从区块管理存储器连续地读出与各区块对应的消去次数数据片的系列。然后，在从区块管理存储器读出的消去次数数据片示出比最小消去次数数据片小的消去次数的情况下，导入并保持该消去次数数据片，将其作为上述最小消去次数数据片输出，并且导入并保持读出地址信号，将由该读出地址信号示出的地址作为最小消去次数地址输出。
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公开(公告)号：CN103064802B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201210399530.9
申请日：2012-10-19
申请人： 拉碧斯半导体株式会社
发明人： 前田智行
CPC分类号： G06F13/16 , G06F3/0601 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/0623 , G06F12/0831 , G06F13/1642 , G06F13/1673
摘要： 提供即使在发生对RAM的访问冲突的情况下，也能够将两个访问作为有效的请求应答的RAM存储装置。包含：选择部，响应控制信号，在以时钟信号决定的一个周期内，将到达2个接口之中的一个的访问向RAM供给；存储部，响应该控制信号，将到达该接口之中的另一个的访问至少存储至该一个周期随后的下一个周期为止。该选择部在该下一个周期之后，将该存储部存储的访问向该RAM供给。
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公开(公告)号：CN104517651A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410514791.X
申请日：2014-09-30
申请人： 拉碧斯半导体株式会社
摘要： 本发明涉及能从半导体存储器高速地检索消去次数最小的区块的半导体装置以及半导体存储器中的消去次数的检索方法。本发明根据检索开始命令，生成由每个区块的地址的系列构成的读出地址信号，通过将该读出地址信号供给到区块管理存储器，从而从区块管理存储器连续地读出与各区块对应的消去次数数据片的系列。然后，在从区块管理存储器读出的消去次数数据片示出比最小消去次数数据片小的消去次数的情况下，导入并保持该消去次数数据片，将其作为上述最小消去次数数据片输出，并且导入并保持读出地址信号，将由该读出地址信号示出的地址作为最小消去次数地址输出。
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公开(公告)号：CN103064802A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210399530.9
申请日：2012-10-19
申请人： 拉碧斯半导体株式会社
发明人： 前田智行
CPC分类号： G06F13/16 , G06F3/0601 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/0623 , G06F12/0831 , G06F13/1642 , G06F13/1673
摘要： 提供即使在发生对RAM的访问冲突的情况下，也能够将两个访问作为有效的请求应答的RAM存储装置。包含：选择部，响应控制信号，在以时钟信号决定的一个周期内，将到达2个接口之中的一个的访问向RAM供给；存储部，响应该控制信号，将到达该接口之中的另一个的访问至少存储至该一个周期随后的下一个周期为止。该选择部在该下一个周期之后，将该存储部存储的访问向该RAM供给。
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