- 专利标题： 一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法
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申请号： CN201410811478.2申请日： 2014-12-23
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公开(公告)号： CN104532047B公开(公告)日： 2017-03-01
- 发明人: 姚可夫 , 刘学 , 邵洋 , 陈娜
- 申请人： 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区北京市100084-82信箱
- 专利权人： 清华大学
- 当前专利权人： 清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区北京市100084-82信箱
- 代理机构： 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 黄家俊
- 主分类号： C22C3/00
- IPC分类号： C22C3/00 ; C22C1/08
摘要：
本发明属于材料科学与工程领域，特别涉及一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法。本发明方法在对母合金成分与结构进行调控的基础上，采用简单的单步室温化学脱合金，实现了Cu-Ag纳米多孔片结构的复杂金属微纳米结构的制备。本发明提出的新型单步化学脱合金制备复杂金属微纳米结构方法，具有设备简单、操作简便、成本低廉、产品重现性好、可控性强、适合大批量生产等特点。
公开/授权文献
- CN104532047A 一种单步化学脱合金制备Cu-Ag纳米多孔片结构方法 公开/授权日：2015-04-22
