发明授权
CN104549397B 一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法
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申请号: CN201410777501.0申请日: 2014-12-15
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公开(公告)号: CN104549397B公开(公告)日: 2017-02-08
- 发明人: 辛柏福 , 周长青 , 陈鹏刚 , 王虹 , 吴杰
- 申请人: 黑龙江大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 专利权人: 黑龙江大学
- 当前专利权人: 黑龙江大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 牟永林
- 主分类号: B01J27/224
- IPC分类号: B01J27/224 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; A62D3/17 ; A62D101/26 ; A62D101/28
摘要:
一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明涉及一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法存在的粒径大、制备过程复杂和反应时间长的问题。方法:一、将尿素加入到去离子水中加热并搅拌至尿素完全溶解,再加入Ga(NO3)3溶液,搅拌至得到无色透明溶液;二、转移至内衬为聚四氟乙烯的容器中,然后将容器置入微波消解炉中加热,反应结束后自然冷却至室温,得到γ-Ga2O3前驱体;三、逐滴加入到SiC,然后先微波蒸干水分,再微波热处理,得到含SiC的固体混合物;四、将含SiC的固体混合物加入到去离子水中离心,再真空干燥,得到β-Ga2O3/SiC纳米复合材料。
公开/授权文献
- CN104549397A 一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法 公开/授权日:2015-04-29