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公开(公告)号:CN104549397B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201410777501.0
申请日:2014-12-15
申请人: 黑龙江大学
IPC分类号: B01J27/224 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A62D3/17 , A62D101/26 , A62D101/28
摘要: 一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明涉及一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法存在的粒径大、制备过程复杂和反应时间长的问题。方法:一、将尿素加入到去离子水中加热并搅拌至尿素完全溶解,再加入Ga(NO3)3溶液,搅拌至得到无色透明溶液;二、转移至内衬为聚四氟乙烯的容器中,然后将容器置入微波消解炉中加热,反应结束后自然冷却至室温,得到γ-Ga2O3前驱体;三、逐滴加入到SiC,然后先微波蒸干水分,再微波热处理,得到含SiC的固体混合物;四、将含SiC的固体混合物加入到去离子水中离心,再真空干燥,得到β-Ga2O3/SiC纳米复合材料。
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公开(公告)号:CN104549397A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410777501.0
申请日:2014-12-15
申请人: 黑龙江大学
IPC分类号: B01J27/224 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A62D3/17 , A62D101/26 , A62D101/28
摘要: 一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明涉及一种β-Ga2O3/SiC纳米复合材料的制备方法。本发明是为解决现有方法存在的粒径大、制备过程复杂和反应时间长的问题。方法:一、将尿素加入到去离子水中加热并搅拌至尿素完全溶解,再加入Ga(NO3)3溶液,搅拌至得到无色透明溶液;二、转移至内衬为聚四氟乙烯的容器中,然后将容器置入微波消解炉中加热,反应结束后自然冷却至室温,得到γ-Ga2O3前驱体;三、逐滴加入到SiC,然后先微波蒸干水分,再微波热处理,得到含SiC的固体混合物;四、将含SiC的固体混合物加入到去离子水中离心,再真空干燥,得到β-Ga2O3/SiC纳米复合材料。
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