发明授权
- 专利标题: 高压垂直功率部件
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申请号: CN201410553425.5申请日: 2014-10-16
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公开(公告)号: CN104576724B公开(公告)日: 2019-12-17
- 发明人: S·梅纳德 , G·戈蒂埃
- 申请人: 意法半导体(图尔)公司 , 法国国立图尔大学
- 申请人地址: 法国图尔
- 专利权人: 意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
- 当前专利权人: 意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
- 当前专利权人地址: 法国图尔
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 张宁
- 优先权: 1360094 2013.10.17 FR
- 主分类号: H01L29/747
- IPC分类号: H01L29/747 ; H01L21/332
摘要:
一种垂直功率部件,包括第一导电类型的硅衬底,在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。
公开/授权文献
- CN104576724A 高压垂直功率部件 公开/授权日:2015-04-29
IPC分类: