公开(公告)号：CN110676310B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201911099089.0

申请日：2014-10-16

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·戈蒂埃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/747 ,  H01L29/87

摘要： 本公开的实施例涉及高压垂直功率部件。一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。

公开(公告)号：CN110676310A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201911099089.0

申请日：2014-10-16

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·戈蒂埃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/747 ,  H01L29/87

摘要： 本公开的实施例涉及高压垂直功率部件。一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。

公开(公告)号：CN103456779B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310216453.3

申请日：2013-05-29

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·高蒂尔

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/747

摘要： 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

公开(公告)号：CN108110053B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201810069975.8

申请日：2013-05-29

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·高蒂尔

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

公开(公告)号：CN108110053A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201810069975.8

申请日：2013-05-29

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·高蒂尔

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/747

摘要： 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

公开(公告)号：CN104576724A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410553425.5

申请日：2014-10-16

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·戈蒂埃

IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/332

摘要： 一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。

公开(公告)号：CN104576724B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201410553425.5

申请日：2014-10-16

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·戈蒂埃

IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/332

摘要： 一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。

公开(公告)号：CN103456779A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310216453.3

申请日：2013-05-29

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·高蒂尔

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/747

摘要： 本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

公开(公告)号：CN203277390U

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201320314847.8

申请日：2013-05-29

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·高蒂尔

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66386 ,  H01L29/747

摘要： 本实用新型公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

公开(公告)号：CN204130543U

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201420602785.5

申请日：2014-10-16

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  法国国立图尔大学

发明人： S·梅纳德 ,  G·戈蒂埃

IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/66386 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76202 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/32 ,  H01L29/456 ,  H01L29/747 ,  H01L29/87

摘要： 本公开涉及一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。