发明授权
- 专利标题： 通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材
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申请号： CN201410412614.0申请日： 2014-08-20
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公开(公告)号： CN104599956B公开(公告)日： 2017-06-20
- 发明人: P·特雷福纳斯三世 , R·A·赛格曼 , M·L·霍弗瑞斯特 , A·吉维 , 竹井邦晴
- 申请人： 加利福尼亚大学董事会 , 罗门哈斯电子材料有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州;
- 专利权人： 加利福尼亚大学董事会,罗门哈斯电子材料有限公司
- 当前专利权人： 加利福尼亚大学董事会,罗门哈斯电子材料有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州;
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈哲锋
- 优先权： 13/972,307 20130821 US
- 主分类号： H01L21/225
- IPC分类号： H01L21/225
摘要：
通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材。本文公开了一种用于掺杂基材的方法，所述方法包括在基材上设置包含含掺杂剂聚合物和非极性溶剂的组合物的涂层；在750‑1300℃的温度下退火1秒至24小时，以使所述掺杂剂扩散到基材中；其中所述含掺杂剂聚合物是具有共价结合的掺杂剂原子的聚合物，所述含掺杂剂聚合物不含氮和硅；所述方法不包括在退火步骤之前在涂层上形成氧化物封盖层的步骤。
公开/授权文献
- CN104599956A 通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材 公开/授权日：2015-05-06
IPC分类:
