公开(公告)号：CN104599956B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410412614.0

申请日：2014-08-20

申请人： 加利福尼亚大学董事会 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·特雷福纳斯三世 ,  R·A·赛格曼 ,  M·L·霍弗瑞斯特 ,  A·吉维 ,  竹井邦晴

IPC分类号： H01L21/225

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L21/385

摘要： 通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材。本文公开了一种用于掺杂基材的方法，所述方法包括在基材上设置包含含掺杂剂聚合物和非极性溶剂的组合物的涂层；在750‑1300℃的温度下退火1秒至24小时，以使所述掺杂剂扩散到基材中；其中所述含掺杂剂聚合物是具有共价结合的掺杂剂原子的聚合物，所述含掺杂剂聚合物不含氮和硅；所述方法不包括在退火步骤之前在涂层上形成氧化物封盖层的步骤。

公开(公告)号：CN104599956A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410412614.0

申请日：2014-08-20

申请人： 加利福尼亚大学董事会 ,  罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： P·特雷福纳斯三世 ,  R·A·赛格曼 ,  M·L·霍弗瑞斯特 ,  A·吉维 ,  竹井邦晴

IPC分类号： H01L21/225

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L21/385

摘要： 通过包含聚合物膜的掺杂剂掺杂基材。本文公开了一种用于掺杂基材的方法，所述方法包括在基材上设置包含含掺杂剂聚合物和非极性溶剂的组合物的涂层；在750-1300℃的温度下退火1秒至24小时，以使所述掺杂剂扩散到基材中；其中所述含掺杂剂聚合物是具有共价结合的掺杂剂原子的聚合物，所述含掺杂剂聚合物不含氮和硅；所述方法不包括在退火步骤之前在涂层上形成氧化物封盖层的步骤。

公开(公告)号：CN106233464A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580022594.9

申请日：2015-06-03

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： 侯赛因·法哈德 ,  A·吉维 ,  白木宏

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： G01N27/4141 ,  G01N27/4148

摘要： 用于使用高灵敏性、小尺寸且具有低能耗的化学敏感场效应晶体管(CS-FET)设备的阵列的多种气体或蒸汽的化学传感的系统和方法。传感器层为形成硅衬底上的源极和漏极之间的过渡金属氧化物、稀土金属氧化物或金属纳米粒子的超薄膜。传感器层的功函数可以通过在其表面上的化学物质的吸附来操控。这些变化引起下层硅沟道的表面电位的变化，从而实现设备的电流调制。通过选择适合的传感器层，不同的化学物质会产生不同的输出信号。这些信号的外部信号处理的使能以及传感器和阵列轮廓匹配使得可以进行多气体检测。