发明授权
- 专利标题： 瞬态电压抑制器及其制造方法
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申请号： CN201410548908.6申请日： 2014-10-16
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公开(公告)号： CN104600069B公开(公告)日： 2017-06-13
- 发明人: 金炫湜 , 张熙元
- 申请人： 开益禧株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： 开益禧株式会社
- 当前专利权人： 开益禧株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 李少丹; 周晓雨
- 优先权： 10-2013-0131808 20131031 KR
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L21/8222
摘要：
提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，其可以通过对第一外延层执行离子注入来形成掩埋层的一部分、然后在沉积具有与第一外延层相同的杂质浓度的第二外延层的同时形成掩埋层的其他部分来类推掩埋层的生长，而容易地控制齐纳二极管的耐压特性，并且其可以通过形成环形的掺杂区域以通过在小的面积内增加齐纳二级管的PN结面积来增加电流经过区域，而改善电流分布特性。
公开/授权文献
- CN104600069A 瞬态电压抑制器及其制造方法 公开/授权日：2015-05-06
IPC分类:
