公开(公告)号：CN104600069A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410548908.6

申请日：2014-10-16

申请人： 开益禧株式会社

发明人： 金炫湜 ,  张熙元

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/861

摘要： 提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，其可以通过对第一外延层执行离子注入来形成掩埋层的一部分、然后在沉积具有与第一外延层相同的杂质浓度的第二外延层的同时形成掩埋层的其他部分来类推掩埋层的生长，而容易地控制齐纳二极管的耐压特性，并且其可以通过形成环形的掺杂区域以通过在小的面积内增加齐纳二级管的PN结面积来增加电流经过区域，而改善电流分布特性。

公开(公告)号：CN103872098A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310597731.4

申请日：2013-11-22

申请人： 开益禧株式会社

发明人： 金泰完

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7818 ,  H01L29/0688

摘要： 提供了一种功率半导体器件，通过在二极管区中形成从终端区向有源单元区增大的杂质浓度梯度来使反相电流分布至有源单元区，所述功率半导体器件能够防止电场集中在二极管区上并且能够改善击穿电压。

公开(公告)号：CN104600069B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410548908.6

申请日：2014-10-16

申请人： 开益禧株式会社

发明人： 金炫湜 ,  张熙元

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/861

摘要： 提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，其可以通过对第一外延层执行离子注入来形成掩埋层的一部分、然后在沉积具有与第一外延层相同的杂质浓度的第二外延层的同时形成掩埋层的其他部分来类推掩埋层的生长，而容易地控制齐纳二极管的耐压特性，并且其可以通过形成环形的掺杂区域以通过在小的面积内增加齐纳二级管的PN结面积来增加电流经过区域，而改善电流分布特性。

公开(公告)号：CN104617067A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410613709.9

申请日：2014-11-04

申请人： 开益禧株式会社

发明人： 黄圭孝 ,  李锺洪 ,  崔甲秀 ,  田且秀 ,  朴进相 ,  裵相甫 ,  朴用鈱 ,  安星桭

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49531 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05623 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 提供了一种半导体器件及其接合结构，其中不与半导体裸片或引线框架形成金属间化合物，从而改善电特性和机械特性以及可润湿性，且抑制裸片接合材料的聚集。所述半导体器件包括：半导体裸片、形成在半导体裸片的表面上的阻挡层、形成在阻挡层上的第一金属层、形成在第一金属层上的中间金属层，以及形成在中间金属层上的第二金属层。这里，第一金属层和第二金属层具有第一熔化温度，中间金属层具有低于第一熔化温度的第二熔化温度。