发明公开
- 专利标题: 制造半导体基光学系统的方法
- 专利标题(英): Method for fabricating semiconductor-based optical system
-
申请号: CN201510002775.7申请日: 2007-10-31
-
公开(公告)号: CN104637954A公开(公告)日: 2015-05-20
- 发明人: J·罗杰斯 , R·纳佐 , M·梅尔特 , E·梅纳德 , A·J·巴卡 , M·穆塔拉 , J-H·安 , S-I·朴 , C-J·于 , H·C·高 , M·斯托伊克维奇 , J·尹
- 申请人: 伊利诺伊大学评议会 , 森普瑞斯公司
- 申请人地址: 美国伊利诺伊州
- 专利权人: 伊利诺伊大学评议会,森普瑞斯公司
- 当前专利权人: 伊利诺伊大学评议会,艾克斯瑟乐普林特有限公司
- 当前专利权人地址: 美国伊利诺伊州
- 代理机构: 北京北翔知识产权代理有限公司
- 代理商 郑建晖; 杨勇
- 优先权: 60/885,306 2007.01.17 US; 60/944,611 2007.06.18 US
- 分案原申请号: 2007800499821 2007.10.31
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L31/0725 ; H01L31/18 ; H01L31/054
摘要:
本发明提供了一种制造半导体基光学系统的方法,所述方法包含以下步骤:提供具有接收表面的光学构件;和经由接触印刷将可印刷半导体元件组装在所述光学构件的所述接收表面上,其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构,该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。
公开/授权文献
- CN104637954B 制造半导体基光学系统的方法 公开/授权日:2018-02-16
IPC分类: