Invention Grant
- Patent Title: 一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器
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Application No.: CN201510102606.0Application Date: 2015-03-09
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Publication No.: CN104660079BPublication Date: 2019-02-05
- Inventor: 王江波 , 梁美 , 李艳 , 游小杰 , 郭希铮 , 李虹
- Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
- Applicant Address: 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内
- Assignee: 全球能源互联网研究院,国网浙江省电力公司,国家电网公司
- Current Assignee: 全球能源互联网研究院,国网浙江省电力公司,国家电网公司
- Current Assignee Address: 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内
- Agency: 北京安博达知识产权代理有限公司
- Agent 徐国文
- Main IPC: H02M7/483
- IPC: H02M7/483
Abstract:
本发明提供了一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器包括开关单元、谐振单元和负载单元；谐振单元包括并联的第一谐振电路和第二谐振电路；负载单元包括依次并联的全桥电路、滤波电容Co和负载电阻RLd；全桥电路接入变压器的副边绕组。与现有技术相比，本发明提供的一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器，能够降低碳化硅MOSFET的电流电压应力和开关损耗，提高了变流器的整体效率。
Public/Granted literature
- CN104660079A 一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器 Public/Granted day:2015-05-27
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