公开(公告)号：CN104660079B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201510102606.0

申请日：2015-03-09

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

发明人： 王江波 ,  梁美 ,  李艳 ,  游小杰 ,  郭希铮 ,  李虹

IPC分类号： H02M7/483

摘要： 本发明提供了一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器包括开关单元、谐振单元和负载单元；谐振单元包括并联的第一谐振电路和第二谐振电路；负载单元包括依次并联的全桥电路、滤波电容Co和负载电阻RLd；全桥电路接入变压器的副边绕组。与现有技术相比，本发明提供的一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器，能够降低碳化硅MOSFET的电流电压应力和开关损耗，提高了变流器的整体效率。

公开(公告)号：CN104660079A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510102606.0

申请日：2015-03-09

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院

发明人： 王江波 ,  梁美 ,  李艳 ,  游小杰 ,  郭希铮 ,  李虹

IPC分类号： H02M7/483

CPC分类号： Y02B70/1483 ,  Y02P80/112 ,  H02M3/33523 ,  H02M2001/0054

摘要： 本发明提供了一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器包括开关单元、谐振单元和负载单元；谐振单元包括并联的第一谐振电路和第二谐振电路；负载单元包括依次并联的全桥电路、滤波电容Co和负载电阻RLd；全桥电路接入变压器的副边绕组。与现有技术相比，本发明提供的一种基于碳化硅MOSFET的三电平双谐振变流器，能够降低碳化硅MOSFET的电流电压应力和开关损耗，提高了变流器的整体效率。