Invention Grant
CN104662213B SiC单晶的制造装置以及制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: SiC单晶的制造装置以及制造方法
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Application No.: CN201380046179.8Application Date: 2013-09-02
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Publication No.: CN104662213BPublication Date: 2017-09-01
- Inventor: 楠一彦 , 龟井一人 , 矢代将齐 , 冈田信宏 , 森口晃治 , 加渡干尚 , 大黑宽典 , 坂元秀光
- Applicant: 新日铁住金株式会社 , 丰田自动车株式会社
- Applicant Address: 日本东京都;
- Assignee: 新日铁住金株式会社,丰田自动车株式会社
- Current Assignee: 新日铁住金株式会社,丰田自动车株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都;
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 张会华
- Priority: 2012-193725 20120904 JP
- International Application: PCT/JP2013/005168 2013.09.02
- International Announcement: WO2014/038172 JA 2014.03.13
- Date entered country: 2015-03-04
- Main IPC: C30B29/36
- IPC: C30B29/36 ; C30B19/06
Abstract:
SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
Public/Granted literature
- CN104662213A SiC单晶的制造装置以及制造方法 Public/Granted day:2015-05-27
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IPC分类:
