发明公开
- 专利标题: 具有非晶二氧化硅中间过渡层的金刚石薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing diamond film with amorphous silicon dioxide intermediate transition layer
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申请号: CN201510056982.0申请日: 2015-02-03
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公开(公告)号: CN104674185A公开(公告)日: 2015-06-03
- 发明人: 孙方宏 , 崔雨潇 , 张文骅 , 沈彬 , 郭睿 , 张志明 , 郭松寿
- 申请人: 上海交通大学 , 苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司 , 上海交友钻石涂层有限公司
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学,苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司,上海交友钻石涂层有限公司
- 当前专利权人: 上海交通大学,苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司,上海交友钻石涂层有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理商 郭国中; 陈少凌
- 主分类号: C23C16/27
- IPC分类号: C23C16/27 ; C23C16/02
摘要:
本发明公开了一种具有非晶二氧化硅中间过渡层的金刚石薄膜的制备方法,所述方法以硬质合金为衬底,以含硅有机大分子前驱体裂解为手段,首先在衬底表面得到非晶二氧化硅中间过渡层薄膜;然后采用化学气相沉积法为制备手段,在非晶二氧化硅中间过渡层表面原位沉积制备微米金刚石薄膜。本发明制备的非晶二氧化硅中间过渡层可以改善两步法预处理后硬质合金的粗化表面形貌,能够增强金刚石薄膜与硬质合金衬底间附着力,同时降低金刚石薄膜的表面粗糙度,改善金刚石薄膜的摩擦磨损性能,从而提高金刚石涂层刀具的使用寿命和切削性能。
IPC分类: