发明授权
- 专利标题: 减少应力的TSV和插入结构
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申请号: CN201380038752.0申请日: 2013-06-06
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公开(公告)号: CN104718611B公开(公告)日: 2017-07-11
- 发明人: C·E·尤佐 , C·G·沃伊奇克 , T·卡斯基 , K·V·德塞 , 魏怀亮 , C·米彻尔 , B·哈巴
- 申请人: 伊文萨思公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 伊文萨思公司
- 当前专利权人: 伊文萨思公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 酆迅
- 优先权: 13/492,064 20120608 US
- 国际申请: PCT/US2013/044519 2013.06.06
- 国际公布: WO2013/184921 EN 2013.12.12
- 进入国家日期: 2015-01-20
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L23/48 ; H01L23/00
摘要:
部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56,第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5%。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5%。
公开/授权文献
- CN104718611A 减少应力的TSV和插入结构 公开/授权日:2015-06-17
IPC分类: