公开(公告)号：CN109564913B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780049091.X

申请日：2017-08-07

申请人： 伊文萨思公司

发明人： B·哈巴 ,  S·李 ,  C·米彻尔 ,  G·Z·格瓦拉 ,  J·A·德拉克鲁斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

摘要： 本发明公开了器件和技术的代表性具体实施，所述具体实施为载体或封装提供了加强。将加强层添加到所述载体的表面，常常是所述载体的底表面，除了放置端子连接之外，所述表面通常未被充分利用。所述加强层向所述载体或封装添加了结构支撑，否则其可以非常薄。在各种实施方案中，将所述加强层添加到所述载体或封装中减少了所述载体或封装的翘曲。

公开(公告)号：CN113924559B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202080040869.2

申请日：2020-05-26

申请人： 伊文萨思公司

发明人： J·A·德拉克鲁斯 ,  B·哈巴 ,  R·坎卡尔

IPC分类号： G06F15/78

摘要： 技术涉及片上系统(SoC)。SoC可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。

公开(公告)号：CN104685622B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201380051572.6

申请日：2013-08-02

申请人： 伊文萨思公司

发明人： T·卡斯基 ,  I·莫哈梅德 ,  C·E·尤佐 ,  C·沃伊奇克 ,  M·纽曼 ,  P·莫纳德吉米 ,  R·科 ,  E·乔 ,  B·哈巴

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H05K1/0298 ,  H05K3/46 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种用于制作中介结构的方法，包括形成键合到第一元件的一个或者多个第一表面的多个接线键合。形成与接线键合的边界表面接触的电介质包封体，该包封体使得相邻的接线键合相互分离。进一步处理包括去除第一元件的至少部分，其中中介结构具有至少通过包封体而相互分离的相对的第一侧和第二侧，并且中介结构具有分别在相对的第一侧和第二侧的分别用于与第一部件和第二部件电连接的第一接触和第二接触，第一接触通过接线键合而与第二接触电连接。

公开(公告)号：CN105144378A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480014977.7

申请日：2014-03-10

申请人： 伊文萨思公司

发明人： B·哈巴 ,  R·D·克里斯普 ,  W·佐尼

IPC分类号： H01L25/065 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06 ,  H01L23/538 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/49811 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 微电子封装件(10)可以包括下和上封装面(11)、(12)，位于下封装面处的下端子(25)、位于上封装面处的上端子(45)、均具有存储器存储阵列功能的第一和第二微电子元件(30)以及将至少一个下端子与至少一个上端子电连接的导电互连件(15)。导电互连件(15)可以包括被配置为承载地址信息的第一导电互连件(15a)，第一互连件的第一集合(70a)的信号分配相对于理论旋转轴(29)与第一互连件的第二集合(70b)具有180°旋转对称性。导电互连件(15)还可以包括被配置为承载数据信息的第二导电互连件(15b)，每个第二导电互连件的位置相对于旋转轴(29)与对应非连接导电互连件(15d)的位置具有180°旋转对称性。

公开(公告)号：CN113924559A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080040869.2

申请日：2020-05-26

申请人： 伊文萨思公司

发明人： J·A·德拉克鲁斯 ,  B·哈巴 ,  R·坎卡尔

IPC分类号： G06F15/78

摘要： 技术涉及片上系统(SoC)。SoC可以包括多个网络层，这些网络层可以帮助来自不同器件层的组件之间的横向或纵向电通信。在一个实施例中，片上系统(SoC)包括多个网络层，每个网络层包括一个或多个路由器，以及多于一个的器件层，多个网络层中的每个网络层分别接合到器件层中的一个器件层。在另一个实施例中，一种用于形成片上系统(SoC)的方法包括在互连中形成多个网络层，其中每个网络层接合到多个器件层中的相应器件层的有源表面。

公开(公告)号：CN113169159A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080676.7

申请日：2019-08-28

申请人： 伊文萨思公司

发明人： B·哈巴 ,  A·R·西塔拉姆

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

摘要： 提供了用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合。在一实施方式中，微电子器件包括在接合界面处直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通过金属‑金属直接接合在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的导电互连件、以及在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的电容性互连件。直接接合工艺在两个管芯的介电表面之间产生直接接合，在两个管芯的相应导电互连件之间产生直接接合，以及在接合界面处在两个管芯之间产生电容性耦合。在一实施方式中，每条信号线在接合界面处的电容性耦合包括每条信号线在接合界面处形成电容器的介电材料。电容性耦合产生于相同的直接接合工艺，该相同的直接接合工艺在相同的接合界面处产生直接接合在一起的导电互连件。

公开(公告)号：CN112204737A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980036081.1

申请日：2019-05-02

申请人： 伊文萨思公司

发明人： B·哈巴 ,  L·默罕默德 ,  J·A·德拉克鲁斯

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

摘要： 以晶圆对晶圆方式执行的三维堆叠技术减少了生产时的机器运动。晶圆使用金属迹线进行处理，并且在切成单独管芯堆叠之前进行堆叠。堆叠的每个层的迹线经由无电解镀而互连。

公开(公告)号：CN109891583A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066273.8

申请日：2017-10-11

申请人： 伊文萨思公司

发明人： J·A·德拉克鲁斯 ,  B·哈巴 ,  W·佐尼 ,  王亮 ,  A·阿格拉沃尔

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07

摘要： 本发明提供了一种微电子组件，该微电子组件包括第一层压微电子元件和第二层压微电子元件。图案化的粘合层设置在第一层压微电子元件和第二层压微电子元件中的每一者的面上。将图案化的粘合层以机械的方式和电的方式粘结，以形成微电子组件。

公开(公告)号：CN109564913A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049091.X

申请日：2017-08-07

申请人： 伊文萨思公司

发明人： B·哈巴 ,  S·李 ,  C·米彻尔 ,  G·Z·格瓦拉 ,  J·A·德拉克鲁斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/562 ,  B23K1/0008 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了器件和技术的代表性具体实施，所述具体实施为载体或封装提供了加强。将加强层添加到所述载体的表面，常常是所述载体的底表面，除了放置端子连接之外，所述表面通常未被充分利用。所述加强层向所述载体或封装添加了结构支撑，否则其可以非常薄。在各种实施方案中，将所述加强层添加到所述载体或封装中减少了所述载体或封装的翘曲。

公开(公告)号：CN104685622A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051572.6

申请日：2013-08-02

申请人： 伊文萨思公司

发明人： T·卡斯基 ,  I·莫哈梅德 ,  C·E·尤佐 ,  C·沃伊奇克 ,  M·纽曼 ,  P·莫纳德吉米 ,  R·科 ,  E·乔 ,  B·哈巴

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H05K1/0298 ,  H05K3/46 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种用于制作中介结构的方法，包括形成键合到第一元件的一个或者多个第一表面的多个接线键合。形成与接线键合的边界表面接触的电介质包封体，该包封体使得相邻的接线键合相互分离。进一步处理包括去除第一元件的至少部分，其中中介结构具有至少通过包封体而相互分离的相对的第一侧和第二侧，并且中介结构具有分别在相对的第一侧和第二侧的分别用于与第一部件和第二部件电连接的第一接触和第二接触，第一接触通过接线键合而与第二接触电连接。