• 专利标题: 光学基板、半导体发光元件及其制造方法
  • 专利标题(英): Optical substrate, semiconductor light-emitting element, and manufacturing method for same
  • 申请号: CN201380053159.3
    申请日: 2013-09-25
  • 公开(公告)号: CN104781941A
    公开(公告)日: 2015-07-15
  • 发明人: 古池润山口布士人井上直树室尾洋行
  • 申请人: 旭化成电子材料株式会社
  • 申请人地址: 日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地
  • 专利权人: 旭化成电子材料株式会社
  • 当前专利权人: 旭化成株式会社
  • 当前专利权人地址: 日本国东京都千代田区神田神保町一丁目105番地
  • 代理机构: 上海市华诚律师事务所
  • 代理商 李晓
  • 优先权: 2012-227299 2012.10.12 JP; 2012-230000 2012.10.17 JP; 2012-231861 2012.10.19 JP; 2012-280240 2012.12.21 JP; 2013-022576 2013.02.07 JP; 2013-111091 2013.05.27 JP
  • 国际申请: PCT/JP2013/075943 2013.09.25
  • 国际公布: WO2014/057808 JA 2014.04.17
  • 进入国家日期: 2015-04-10
  • 主分类号: H01L33/22
  • IPC分类号: H01L33/22
光学基板、半导体发光元件及其制造方法
摘要:
光学基板PP(10)具备基板本体、设置于所述基板本体的主面之上的由多个凸部(20a)构成的凹凸结构(20),在主面之上描绘有能够通过光学显微镜观察到的图样(X),图样(X)的间隔大于凹凸结构(20)的间距,图样(X)的光学显微镜像中,图样(X)能够根据明暗差识别为第1区域(Xa)及第2区域(Xb),第1区域(Xa)为多个并且相互隔有间隔地配置,第2区域(Xb)连接在第1区域(Xa)之间。可以同时解决一直以来互为取舍关系的半导体发光元件的内部量子效率IQE的提高和光提取效率LEE的改善。
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