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公开(公告)号：CN103764385B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201380002892.2
申请日：2013-06-10
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： B32B3/30 , B29C59/02 , B29C59/04 , H01L21/027
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/025 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2307/536 , B32B2307/538 , B32B2457/00 , B32B2457/18 , B32B2457/206 , B32B2551/00 , G03F7/0002 , H01L2933/0083 , Y10T428/1352 , Y10T428/24355
摘要： 功能转印体(14)具备具有纳米结构的凹凸结构(11)的载体(10)和设置于凹凸结构(11)上的功能层(12)。在凹凸结构(11)的表面预先设置功能层(12)，使功能层(12)直接对接于被处理体(20)的一主面上，然后从功能层(12)除去载体(10)，在被处理体(20)上转印功能层(12)。凹凸结构(11)的平均间距在1nm以上1500nm以下，功能层(12)包含树脂，且功能层(12)的露出面侧的表面粗糙度(Ra)，与凹凸结构(11)的凸部顶端位置和所述功能层的露出表面的距离(lor)的比例(Ra/lor)在1.2以下。进一步地，功能层(12)配置于凹部(1la)的内部，其露出面在温度20℃且遮光下是非液体状态。可以在被处理体(20)上高精度地赋予功能。
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公开(公告)号：CN104170056A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380014072.5
申请日：2013-03-11
申请人： 旭化成电子材料株式会社
发明人： 古池润
IPC分类号： H01L21/027 , B29C33/38 , B29C33/42 , B29C59/02 , B32B3/26
CPC分类号： B29C59/022 , B29C33/3857 , B29C33/424 , B29C71/04 , B29C2059/023 , B29K2027/12 , B29K2883/00 , B29K2995/0077 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/325 , B32B27/36 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2307/518 , B32B2315/00 , B32B2457/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , Y10T428/24322 , Y10T428/24612 , H01L2924/00
摘要： 抗蚀剂积层体(30)具备无机基板(21)、设置在无机基板(21)的一侧主面上的第1抗蚀剂层(22)、和设置在第1抗蚀剂层(22)上的表面设置有凹凸结构(23a)的第2抗蚀剂层(23)。凹凸结构(23a)，转印后的残膜的厚度为50nm以下，模具的微细图样的凸部顶部宽度(lcv)与凹部开口宽度(lcc)的比例(lcv/lcc)在规定范围内，模具的微细图样的凹部体积(Vcm)与第2抗蚀剂层(23)的体积(Vr2)的比例(Vr2/Vcm)在规定范围内。无机基板(21)上可以容易地形成具有薄而且均等的残膜的抗蚀剂掩模(25)。
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公开(公告)号：CN104781941A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380053159.3
申请日：2013-09-25
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/58 , H01L22/12 , H01L33/22 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
摘要： 光学基板PP(10)具备基板本体、设置于所述基板本体的主面之上的由多个凸部(20a)构成的凹凸结构(20)，在主面之上描绘有能够通过光学显微镜观察到的图样(X)，图样(X)的间隔大于凹凸结构(20)的间距，图样(X)的光学显微镜像中，图样(X)能够根据明暗差识别为第1区域(Xa)及第2区域(Xb)，第1区域(Xa)为多个并且相互隔有间隔地配置，第2区域(Xb)连接在第1区域(Xa)之间。可以同时解决一直以来互为取舍关系的半导体发光元件的内部量子效率IQE的提高和光提取效率LEE的改善。
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公开(公告)号：CN103154143B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201280003308.0
申请日：2012-06-18
申请人： 旭化成电子材料株式会社
发明人： 古池润
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/057 , C08K5/5415 , C08K5/55
CPC分类号： C09D143/04 , C08G77/56 , C08G77/58 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/06 , C09D185/04 , G02B5/1809 , G02B2207/107 , G03F7/0002 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种可经由良好的转印工序，制作由可调节折射率的无机物构成的微细凹凸结构的微细凹凸结构转印用无机组合物。本发明的组合物含有硅酮化合物和至少2种金属醇盐，金属醇盐是具有金属品种M1(其中，M1是从由Ti、Zr、Zn、Sn、B、In及Al构成的群组中选出的至少1种金属元素)的金属醇盐和具有金属品种Si的金属醇盐。此外，在组合物中，具有金属品种M1的金属醇盐的摩尔浓度CM1与具有金属品种Si的金属醇盐的摩尔浓度CSi之间的比满足下述式(1)。0.2≤CM1/CSi≤24(1)。
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公开(公告)号：CN104210047A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410446851.9
申请日：2012-06-18
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0
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公开(公告)号：CN103299396B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280003345.1
申请日：2012-06-18
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0＜lcc＜1.0h式(2)0≤lcv≤0.05h。
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公开(公告)号：CN104865792A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510155419.9
申请日：2013-04-30
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： B29C59/022 , B29C59/026 , B29C59/046 , B29C59/16 , B29K2033/08 , B29K2105/0005 , G03F7/0002 , Y10T428/24628
摘要： 使用微细图案形成用膜(II)，在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12)，所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(11)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13)；此处，使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面，按压微细图案形成用膜(II)，对第1掩模层(13)照射能量射线，接着，将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处，按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13)，蚀刻被处理体(20)。
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公开(公告)号：CN104749879A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510118186.5
申请日：2013-06-10
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/025 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2307/536 , B32B2307/538 , B32B2457/00 , B32B2457/18 , B32B2457/206 , B32B2551/00 , G03F7/0002 , H01L2933/0083 , Y10T428/1352 , Y10T428/24355
摘要： 功能转印体(14)具备具有纳米结构的凹凸结构(11)的载体(10)和设置于凹凸结构(11)上的功能层(12)。在凹凸结构(11)的表面预先设置功能层(12)，使功能层(12)直接对接于被处理体(20)的一主面上，然后从功能层(12)除去载体(10)，在被处理体(20)上转印功能层(12)。凹凸结构(11)的平均间距在1nm以上1500nm以下，功能层(12)包含树脂，且功能层(12)的露出面侧的表面粗糙度(Ra)，与凹凸结构(11)的凸部顶端位置和所述功能层的露出表面的距离(lor)的比例(Ra/lor)在1.2以下。进一步地，功能层(12)配置于凹部(11a)的内部，其露出面在温度20℃且遮光下是非液体状态。可以在被处理体(20)上高精度地赋予功能。
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公开(公告)号：CN104205370A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380018450.7
申请日：2013-03-29
申请人： 旭化成电子材料株式会社
摘要： 光学基板(1)在表面设置有凹凸结构(12)，所述凹凸结构(12)包括独立的多个凸部(131～134)以及设置于各凸部(131～134)之间的凹部(14)。凹凸结构(12)的相邻的凸部(131～134)间的平均间隔Pave满足50nm≤Pave≤1500nm，且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6Have≥hn≥0的凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≤Z≤1/5的概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光元件中的话，通过使半导体层中的位错分散化并降低位错密度，能够改善内量子效率IQE，且利用光散射消除波导模式来提高光提取效率LEE，提高半导体发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN104155847A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410318108.5
申请日：2012-06-18
申请人： 旭化成电子材料株式会社
发明人： 古池润
IPC分类号： G03F7/075
CPC分类号： C09D143/04 , C08G77/56 , C08G77/58 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/06 , C09D185/04 , G02B5/1809 , G02B2207/107 , G03F7/0002 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种可经由良好的转印工序，制作由可调节折射率的无机物构成的微细凹凸结构的微细凹凸结构转印用无机组合物。本发明的组合物含有硅酮化合物和至少2种金属醇盐，金属醇盐是具有金属品种M1(其中，M1是从由Ti、Zr、Zn、Sn、B、In及Al构成的群组中选出的至少1种金属元素)的金属醇盐和具有金属品种Si的金属醇盐。此外，在组合物中，具有金属品种M1的金属醇盐的摩尔浓度CM1与具有金属品种Si的金属醇盐的摩尔浓度CSi之间的比满足下述式(1)。0.2≦CM1/CSi≦24 (1)
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