• 专利标题: 一种掺有碳化硅废料的干粉抹面砂浆及其制备方法
  • 专利标题(英): Silicon carbide waste-doped dry-powder front mortar and preparation method thereof
  • 申请号: CN201510147438.7
    申请日: 2015-03-31
  • 公开(公告)号: CN104788059A
    公开(公告)日: 2015-07-22
  • 发明人: 蒋正武袁政成任强
  • 申请人: 同济大学
  • 申请人地址: 上海市杨浦区四平路1239号
  • 专利权人: 同济大学
  • 当前专利权人: 同济大学
  • 当前专利权人地址: 上海市杨浦区四平路1239号
  • 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
  • 代理商 叶敏华
  • 主分类号: C04B28/04
  • IPC分类号: C04B28/04 C04B18/04
一种掺有碳化硅废料的干粉抹面砂浆及其制备方法
摘要:
本发明涉及一种掺有碳化硅废料的干粉抹面砂浆及其制备方法,干粉抹面砂浆由以下组分按照重量份配制而成:硅酸盐水泥100、碳化硅废料5-30、河砂250-400、可再分散乳胶粉1-5、纤维素醚0.05-0.50、纤维0-0.80。与现有技术相比,本发明将碳化硅废料应用于干粉抹面砂浆中,一方面解决了碳化硅废料的处理问题,实现了对碳化硅废料的资源化利用,为企业节约了废物处理成本;另一方面能够提高干粉抹面砂浆的强度,同时能够降低干粉抹面砂浆的生产成本,有利于干粉抹面砂浆的商业推广应用。
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