半导体器件的制造方法

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专利标题： 半导体器件的制造方法
专利标题（英）： Semiconductor device manufacturing method
申请号： CN201410040684.8

申请日： 2014-01-27
公开(公告)号： CN104810280A

公开(公告)日： 2015-07-29
发明人: 潘光燃 , 石金成 , 文燕 , 高振杰
申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
申请人地址： 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层
专利权人： 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
当前专利权人： 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
当前专利权人地址： 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层
代理机构： 北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理商 黄志华
主分类号： H01L21/324
IPC分类号： H01L21/324

摘要：

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：对半导体器件的衬底采用前段工艺，其中，所述前段工艺是制造半导体器件需要对衬底采用的工艺的集合；对经前段工艺处理的衬底采用第一次氢气退火工艺。本发明的半导体器件的制造方法，减小了悬挂键的密度，提高了半导体器件的质量。

摘要（英）：

The invention discloses a semiconductor device manufacturing method. The semiconductor device manufacturing method comprises the following steps of performing anterior processes on the substrate of a semiconductor device, wherein the anterior processes are a set of processes required to be applied to the substrate; performing a first hydrogen annealing process on the substrate processed through the anterior processes. The semiconductor device manufacturing method reduces the density of dangling bonds and improves the quality of the semiconductor device.

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/324	.....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）