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发明授权
CN104810351B 具有应力降低结构的互连装置及其制造方法 有权

具有应力降低结构的互连装置及其制造方法
摘要：
本发明提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构，并且应力降低结构围绕第一层的一部分。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的部分中的导电部件。本发明还提供了具有应力降低结构的互连装置及其制造方法。
摘要（英）：

Embodiments of a semiconductor device structure and a method of fabricating the same are provided. The semiconductor device structure includes a substrate and a first layer formed over the substrate. The semiconductor device structure further includes a stress-reducing structure formed in the first layer, and a portion of the first layer is surrounded by the stress-reducing structure. The semiconductor device structure further includes a conductive feature formed in the portion of the first layer surrounded by the stress-reducing structure.

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