发明公开
- 专利标题: 一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of reactive sintered boron carbide-silicon carbide composite ceramic material
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申请号: CN201510256908.3申请日: 2015-05-19
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公开(公告)号: CN104817325A公开(公告)日: 2015-08-05
- 发明人: 曹剑武 , 高晓菊 , 张丛 , 满蓬 , 燕东明 , 谢威 , 周雅伟 , 李国斌 , 曲俊峰 , 李康 , 杨双燕 , 乔光利 , 常永威 , 赵斌 , 林广庆
- 申请人: 中国兵器工业第五二研究所烟台分所
- 申请人地址: 山东省烟台市莱山区迎宾路2号附1号
- 专利权人: 中国兵器工业第五二研究所烟台分所
- 当前专利权人: 中国兵器工业第五二研究所烟台分所
- 当前专利权人地址: 山东省烟台市莱山区迎宾路2号附1号
- 代理机构: 烟台上禾知识产权代理事务所
- 代理商 刘志毅
- 主分类号: C04B35/563
- IPC分类号: C04B35/563 ; C04B35/65
摘要:
本发明涉及一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:(1)混料:分别将重量百分比为80~90%的碳化硼、5~18%的碳粉、1~5%的烧结助剂作为原料放入球磨罐中球磨;(2)成型:将步骤(1)中所得混合料置于模具中,经干压成型获得碳化硼陶瓷素坯;(3)反应烧结:将步骤(2)中所得碳化硼陶瓷素坯放入反应烧结炉中,真空高温烧结浸渗熔融金属硅片,获得反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料。本发明的方法采用的原料及配比科学合理,生产方法安全、成本低,所制成的碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料能够满足核工业乏废料的热中子屏蔽性能要求。
IPC分类: