公开(公告)号：CN104817325A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510256908.3

申请日：2015-05-19

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所

发明人： 曹剑武 ,  高晓菊 ,  张丛 ,  满蓬 ,  燕东明 ,  谢威 ,  周雅伟 ,  李国斌 ,  曲俊峰 ,  李康 ,  杨双燕 ,  乔光利 ,  常永威 ,  赵斌 ,  林广庆

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/65

摘要： 本发明涉及一种反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：(1)混料：分别将重量百分比为80～90％的碳化硼、5～18％的碳粉、1～5％的烧结助剂作为原料放入球磨罐中球磨；(2)成型：将步骤(1)中所得混合料置于模具中，经干压成型获得碳化硼陶瓷素坯；(3)反应烧结：将步骤(2)中所得碳化硼陶瓷素坯放入反应烧结炉中，真空高温烧结浸渗熔融金属硅片，获得反应烧结碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料。本发明的方法采用的原料及配比科学合理，生产方法安全、成本低，所制成的碳化硼-碳化硅复合陶瓷材料能够满足核工业乏废料的热中子屏蔽性能要求。

公开(公告)号：CN115448724A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211078903.2

申请日：2022-09-05

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  曲俊峰 ,  王静慧 ,  张武 ,  郭敏 ,  李国斌 ,  杨双燕 ,  高晓菊

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  F41H5/02

摘要： 本发明涉及胸插板制备领域，具体涉及一种流延法制备碳化硅陶瓷胸插板的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、备料；步骤二、配比：根据碳化硅陶瓷胸插板各组分的重量份数，通过配比设备由上述原材料中按量称取；步骤三、制浆：将上述配比获得的各组分原材料通过制浆设备混合均匀制浆，得到碳化硅陶瓷浆料；步骤四、制坯：采用流延法成型设备，将上述碳化硅陶瓷浆料制备成碳化硅陶瓷生坯片；步骤五、烧结：得到碳化硅陶瓷基片；步骤六、裁片。本发明碳化硅陶瓷制备采用流延法成型，减少胸插板制备工序的粉尘污染，环境友好，成型材料均匀，改善胸插板产品质量，结合增韧纤维，在使胸插板具有优良柔韧性的同时，可使胸插板重量减轻。

公开(公告)号：CN114591086A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210336523.8

申请日：2022-03-31

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  杨双燕 ,  张武 ,  高晓菊 ,  李国斌 ,  尹飞 ,  曲俊峰 ,  童鹤 ,  郭敏 ,  栾承华

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/563 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种纳米粉体改性碳化硅‑碳化硼复相陶瓷，按照质量百分比计，包括：碳化硅粉体与碳化硼粉体90wt％～98wt％，碳粉1wt％～5wt％，氧化锆粉体1wt％～5wt％，纳米石墨烯粉体1wt％～5wt％；其中，碳化硅粉体与碳化硼粉体的质量比为1:4～4:1；碳化硅粉体包括纳米碳化硅粉体与微米碳化硅粉体，纳米碳化硅粉体质量为5wt％～20wt％，碳化硼粉体包括纳米碳化硼粉体与微米碳化硼粉体，纳米碳化硼粉体粉体质量为5wt％～20wt％。本发明还提供了上述复相陶瓷的制备方法，包括步骤：(1)一次纳米粉体混合；(2)二次粉体混合；(3)喷雾造粒；(4)压力成型；(5)预烧结；(6)终烧结。本发明能够制备得到硬度、强度均得到提高的SiC‑B4C复相陶瓷，提高复相陶瓷性能的均匀性，且烧结温度低，制备效率提高。

公开(公告)号：CN115959924A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211077777.9

申请日：2022-09-05

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  孙绪韫 ,  栾承华 ,  曲俊峰 ,  王静慧 ,  郭敏 ,  李国斌 ,  张武 ,  杨双燕 ,  高晓菊

IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，具体的说是一种颗粒级配粉体制备碳化硅陶瓷的方法，该碳化硅陶瓷制备方法包括以下步骤：步骤一、原料处理：按碳化硅陶瓷制备各成分原料获取碳化硅粉体颗粒、生物炭颗粒、金属粉体、硅粉和改性剂；采用碳化硅粉体颗粒、生物炭颗粒、金属粉体、硅粉和改性剂，增塑纤维、颗粒可增韧补强碳化硅陶瓷，明显提高碳化硅陶瓷的韧性和强度，提高碳化硅陶瓷的结构性能，采用生物炭颗粒作为原料，来源广、成本低、环境友好，工艺流程简单，具有可操作性强、重复性好的优点，用于不同颗粒级分级碳化硅陶瓷产品的制备，制备的碳化硅陶瓷颗粒粒度集中、均匀，从而提高了碳化硅陶瓷制备的产品质量。

公开(公告)号：CN115448743A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211068848.9

申请日：2022-09-02

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  曲俊峰 ,  王静慧 ,  李国斌 ,  杨双燕 ,  高晓菊 ,  张武

IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及碳化硅基陶瓷制备领域，具体的说是一种金刚石颗粒增强碳化硅基陶瓷的制备方法，该制备方法包括以下步骤：步骤一、备料：将碳化硅基陶瓷制备用原料按比重获取，备用；步骤二、制浆：将上述步骤一中获取的原料添加在制浆容器中，并根据原料比重向制浆容器的内部加入制浆用溶剂，通过打浆设备将原料均匀，得到碳化硅基陶瓷前驱浆料；通过金刚石与碳化硅结合，使碳化硅基陶瓷具有较高的硬度、导热率和断裂韧性，降低孔隙率，提高致密度，具有工艺简单、效率高、成本低的特点，适用于碳化硅基陶瓷工业化生产、碳化硅改性以及前驱浆料球磨改性，优化金刚石颗粒增强碳化硅基陶瓷产品的致密度、强度、光敏性能，实用性更强。

公开(公告)号：CN104529457B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410728325.1

申请日：2014-12-03

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所

发明人： 曹剑武 ,  李志鹏 ,  燕东明 ,  王静慧 ,  牟晓明 ,  李康 ,  赵斌 ,  贾书波 ,  杨双燕 ,  常永威 ,  满蓬 ,  张武 ,  曲俊峰 ,  李国斌

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及一种以2微米以上粗颗粒粉体为原料的无压烧结碳化硼陶瓷制备方法，包括以下步骤：将重量百分比为碳化硼粉(D50≥2μm)70～80wt％，碳粉 4～8wt％，氧化钇粉 0.7～2wt％，余量的粘结剂和分散剂放入球磨机混料容器，加入去离子水后进行球磨制浆，所得浆料固相含量为25～45wt％；所得浆料用喷雾干燥造粒机制得造粒粉；将造粒粉采用干压成型或冷等静压成型工艺在100‑200MPa下压成生坯；将生坯放入真空炉内，采用真空或常压烧结方式，在2000～2300℃温度下保温0.5～5h完成烧结得到碳化硼陶瓷。本发明由于采用价格低廉的粗颗粒碳化硼粉体为原料，采用可规模化生产的无压烧结工艺，可以大大降低碳化硼陶瓷的制造成本，适用于核电、半导体装备、装甲防护等领域。

公开(公告)号：CN114591086B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210336523.8

申请日：2022-03-31

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  杨双燕 ,  张武 ,  高晓菊 ,  李国斌 ,  尹飞 ,  曲俊峰 ,  童鹤 ,  郭敏 ,  栾承华

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/563 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种纳米粉体改性碳化硅‑碳化硼复相陶瓷，按照质量百分比计，包括：碳化硅粉体与碳化硼粉体90wt％～98wt％，碳粉1wt％～5wt％，氧化锆粉体1wt％～5wt％，纳米石墨烯粉体1wt％～5wt％；其中，碳化硅粉体与碳化硼粉体的质量比为1:4～4:1；碳化硅粉体包括纳米碳化硅粉体与微米碳化硅粉体，纳米碳化硅粉体质量为5wt％～20wt％，碳化硼粉体包括纳米碳化硼粉体与微米碳化硼粉体，纳米碳化硼粉体粉体质量为5wt％～20wt％。本发明还提供了上述复相陶瓷的制备方法，包括步骤：(1)一次纳米粉体混合；(2)二次粉体混合；(3)喷雾造粒；(4)压力成型；(5)预烧结；(6)终烧结。本发明能够制备得到硬度、强度均得到提高的SiC‑B4C复相陶瓷，提高复相陶瓷性能的均匀性，且烧结温度低，制备效率提高。

公开(公告)号：CN115433984A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211078796.3

申请日：2022-09-05

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  栾承华 ,  曲俊峰 ,  王静慧 ,  郭敏 ,  李国斌 ,  张武 ,  杨双燕 ,  高晓菊

IPC分类号： C25D11/04 ,  C25D11/02 ,  C25D11/14

摘要： 本发明涉及铝合金陶瓷化领域，具体涉及一种铝合金板材表面陶瓷化的制备方法，该制备方法包括以下步骤：步骤一、预处理：通过预处理将铝合金板材表面的污渍去除，得到表面洁净的铝合金板材；步骤二、表面陶瓷化：将步骤一中预处理后的铝合金板材在微弧氧化设备中进行微弧氧化处理，在铝合金板材的表面形成铝合金陶瓷化层；步骤三、后处理：将步骤二中陶瓷化的铝合金板材表面残留物去除处理，得到陶瓷化铝合金板材成品。本发明表面陶瓷化采用微弧氧化技术，在铝合金板材的表面生长出改性铝合金陶瓷层，提高铝合金板材与陶瓷化层界面结合的强度，提高防护性能的有效性，优化铝合金板材表面陶瓷化生长的铝合金陶瓷层的耐磨、硬度性能。

公开(公告)号：CN115367758A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211087985.7

申请日：2022-09-07

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  孙绪韫 ,  曲俊峰 ,  李国斌 ,  张武 ,  郭敏 ,  杨双燕 ,  高晓菊 ,  王静慧

IPC分类号： C01B32/956 ,  F26B5/06

摘要： 本发明涉及碳化硅粉体制备领域，具体的说是一种冷冻干燥法制备碳化硅造粒粉体方法，该碳化硅粉体方法包括以下步骤：步骤一、选料：通过选料设备获取碳化硅造粒粉体生产用原料，备用；步骤二、制浆：将上述步骤一中获取的原料按比例与水混合，并通过打浆设备得到碳化硅前驱浆料，采用冷冻干燥法制备碳化硅纳米粉体，具有粉体形状规则、硬团聚少、粒径小且均匀、化学纯度高、化学均匀性好、烧结温度低、可制得高密度块体碳化硅粉体等优点，以及制备方法可靠，具有可操作性、重复性好等优点，工艺流程简单，对环境污染小，成本降低，提高碳化硅粉体产品质量，降低表面活性，改善纳米粉体的均匀性、稳定性以及高聚物相容性性能，适合不同应用领域。

公开(公告)号：CN115216824A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202211079273.0

申请日：2022-09-05

申请人： 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司

发明人： 孙孟勇 ,  曲俊峰 ,  李国斌 ,  张武 ,  郭敏 ,  杨双燕 ,  高晓菊 ,  王静慧

IPC分类号： C25D11/26

摘要： 本发明属于钛合金表面陶瓷化领域，涉及一种钛合金板材表面陶瓷化的制备方法，该制备方法包括以下步骤：步骤一、预处理；步骤二、电解液配制；步骤三、一次微弧氧化；步骤四、一次残留清理；步骤五、二次微弧氧化；步骤六、二次残留清理。本发明采用微弧氧化技术，钛合金板材的表面生长出以钛合金基体金属氧化物为主并辅以电解液组分的改性钛合金陶瓷层，提高钛合金板材与陶瓷化层界面结合的强度，提高防护性能，钛合金板材表面陶瓷化制备方法可靠，具有可操作性、重复性好等优点，工艺流程简单，钛合金板材的表面两次微弧氧化处理，形成两层陶瓷化结构层，陶瓷化防护性更好。