发明公开
CN104867830A 制作DMOS器件的方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 制作DMOS器件的方法
- 专利标题（英）： Method of manufacturing double diffusion metal-oxide-semiconductor (DMOS) device
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申请号： CN201410058122.6申请日： 2014-02-20
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公开(公告)号： CN104867830A公开(公告)日： 2015-08-26
- 发明人: 姜春亮 , 何昌 , 蔡远飞
- 申请人： 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区成府路298号方正大厦
- 专利权人： 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
- 当前专利权人： 北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区成府路298号方正大厦
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 李迪
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
本发明公开了一种制作DMOS器件的方法，涉及半导体技术领域，本发明通过步骤的调整，无需使用SRC光罩，减少了DMOS器件生产工艺中的光罩套数，降低了DMOS器件的生产成本。
IPC分类:
