发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201280077812.5申请日: 2012-12-19
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公开(公告)号: CN104871307B公开(公告)日: 2018-01-02
- 发明人: 内田慎一 , 长濑宽和 , 船矢琢央
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 权太白; 谢丽娜
- 国际申请: PCT/JP2012/082932 2012.12.19
- 国际公布: WO2014/097425 JA 2014.06.26
- 进入国家日期: 2015-06-18
- 主分类号: H01L21/822
- IPC分类号: H01L21/822 ; H01L27/04
摘要:
在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间,在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈,在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈,它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时,在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
公开/授权文献
- CN104871307A 半导体装置 公开/授权日:2015-08-26
IPC分类: