发明公开
CN104880453A 基于暗场成像的固态纳米通道的光电同步传感方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于暗场成像的固态纳米通道的光电同步传感方法
- 专利标题(英): Synchronous light-electricity sensing method for dark-field imaging-based solid nano channel
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申请号: CN201510225193.5申请日: 2015-05-06
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公开(公告)号: CN104880453A公开(公告)日: 2015-09-02
- 发明人: 龙亿涛 , 师鑫 , 高瑞 , 应佚伦 , 静超 , 李好问
- 申请人: 华东理工大学
- 申请人地址: 上海市徐汇区梅陇路130号
- 专利权人: 华东理工大学
- 当前专利权人: 华东理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市徐汇区梅陇路130号
- 代理机构: 上海翼胜专利商标事务所
- 代理商 翟羽; 曾人泉
- 主分类号: G01N21/69
- IPC分类号: G01N21/69
摘要:
本发明基于暗场成像的固态纳米通道的光电同步传感方法,包括以下步骤:⑴制备涂敷有金属纳米涂层的半导体基片薄膜;⑵制备金属覆膜纳米通道芯片;⑶制备光电检测微池;⑷利用金属覆膜纳米通道暗场成像;⑸利用金属覆膜纳米通道记录离子电流强度;⑹加入待测物进行光电同步检测;⑺多通道数据分析。本发明通过光电同步传感的方法,不引入染料基团,无需标记即能对单个纳米待测物穿纳米通道的过程实时动态监测,实现对待测物体积、带电情况、光学性质、化学结构等动态信息的采集,能从多个维度观测单个待测物在运动过程中各类性质变化的情况;实现了大规模多通道信号的同步获取,加速了纳米通道技术的检测速率,扩大了其应用领域。
公开/授权文献
- CN104880453B 基于暗场成像的固态纳米通道的光电同步传感方法 公开/授权日:2017-11-03