发明公开
CN104884684A 用于从硅晶片吸除杂质的氧化物介质
无效 - 撤回
- 专利标题： 用于从硅晶片吸除杂质的氧化物介质
- 专利标题（英）： Oxide media for gettering impurities from silicon wafers
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申请号： CN201380067927.0申请日： 2013-12-18
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公开(公告)号： CN104884684A公开(公告)日： 2015-09-02
- 发明人: I·科勒 , O·多尔 , S·巴斯
- 申请人： 默克专利股份有限公司
- 申请人地址： 德国达姆施塔特
- 专利权人： 默克专利股份有限公司
- 当前专利权人： 默克专利股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国达姆施塔特
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 陈晰
- 优先权： 12008660.8 2012.12.28 EP; 13005736.7 2013.12.10 EP
- 国际申请： PCT/EP2013/003837 2013.12.18
- 国际公布： WO2014/101988 DE 2014.07.03
- 进入国家日期： 2015-06-25
- 主分类号： C30B31/04
- IPC分类号： C30B31/04 ; C23C18/12 ; C23C18/32 ; H01L21/02 ; H01L21/48 ; H01L31/0216 ; C09D183/00 ; H01L21/22 ; H01L21/225 ; H01L31/0288 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及制备可印刷的低至高粘度氧化物介质的新方法，以及该氧化物介质在制造太阳能电池中的用途。
IPC分类:
