- 专利标题: 一种Cu2SnSe3 热电材料的快速制备方法
-
申请号: CN201510342233.4申请日: 2015-06-18
-
公开(公告)号: CN104894422B公开(公告)日: 2017-04-05
- 发明人: 刘光华 , 陈克新 , 李江涛
- 申请人: 中国科学院理化技术研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村东路29号
- 专利权人: 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院理化技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村东路29号
- 代理机构: 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 张文祎
- 主分类号: C22C1/05
- IPC分类号: C22C1/05
摘要:
本发明公开一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法,其包括如下步骤:1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体,然后置于燃烧容器中;2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中,并使燃烧容器高速旋转;3)转速在1500‑3000转/分时,点燃反应物。本发明的方法能够快速制备气孔率≤1%的致密Cu2SnSe3块体材料,纯度高,不含有除Cu2SnSe3之外的杂质。本发明通过燃烧反应加旋转,直接一步就得到致密块体,不需要后续烧结。
公开/授权文献
- CN104894422A 一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法 公开/授权日:2015-09-09