一种特征尺寸收缩的半导体器件的封装方法及结构
摘要:
本发明提供一种特征尺寸收缩的半导体器件的封装方法及结构,包括提供用于制作第一产品的半导体基底;在半导体基底上制作按照第一产品的尺寸收缩的第二产品,第二产品具有第一顶层金属层;淀积介质层;在连接孔内形成铜金属并平坦化制作第一焊盘;形成第二顶层金属层铝;覆盖绝缘层,制作第二焊盘;对准第二焊盘进行晶圆级封装测试工艺。本发明通过在第二产品中增加第二焊盘以及连接第一焊盘和第二焊盘的第二顶层金属层作为过渡层,将尺寸收缩后的焊盘位置转换为原有产品的焊盘位置,使之能采用原有的封装工艺进行封装,另外,通过填充铜金属并将铜金属抛光使与介质层齐平,既可以使铜金属表面平坦,还可以保证后续键合工艺中具有良好的键合质量。
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