公开(公告)号：CN104900542B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201410081016.X

申请日：2014-03-06

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 仇峰 ,  罗学辉 ,  刘丽丽 ,  刘孟彬

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

摘要： 本发明提供一种特征尺寸收缩的半导体器件的封装方法及结构，包括提供用于制作第一产品的半导体基底；在半导体基底上制作按照第一产品的尺寸收缩的第二产品，第二产品具有第一顶层金属层；淀积介质层；在连接孔内形成铜金属并平坦化制作第一焊盘；形成第二顶层金属层铝；覆盖绝缘层，制作第二焊盘；对准第二焊盘进行晶圆级封装测试工艺。本发明通过在第二产品中增加第二焊盘以及连接第一焊盘和第二焊盘的第二顶层金属层作为过渡层，将尺寸收缩后的焊盘位置转换为原有产品的焊盘位置，使之能采用原有的封装工艺进行封装，另外，通过填充铜金属并将铜金属抛光使与介质层齐平，既可以使铜金属表面平坦，还可以保证后续键合工艺中具有良好的键合质量。

公开(公告)号：CN104900542A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410081016.X

申请日：2014-03-06

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 仇峰 ,  罗学辉 ,  刘丽丽 ,  刘孟彬

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

摘要： 本发明提供一种特征尺寸收缩的半导体器件的封装方法及结构，包括提供用于制作第一产品的半导体基底；在半导体基底上制作按照第一产品的尺寸收缩的第二产品，第二产品具有第一顶层金属层；淀积介质层；在连接孔内形成铜金属并平坦化制作第一焊盘；形成第二顶层金属层铝；覆盖绝缘层，制作第二焊盘；对准第二焊盘进行晶圆级封装测试工艺。本发明通过在第二产品中增加第二焊盘以及连接第一焊盘和第二焊盘的第二顶层金属层作为过渡层，将尺寸收缩后的焊盘位置转换为原有产品的焊盘位置，使之能采用原有的封装工艺进行封装，另外，通过填充铜金属并将铜金属抛光使与介质层齐平，既可以使铜金属表面平坦，还可以保证后续键合工艺中具有良好的键合质量。

公开(公告)号：CN1217398C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02137394.9

申请日：2002-10-11

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴金刚 ,  刘靓一 ,  罗学辉 ,  李修远

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种快速热退火工艺的每日监控的控片，包括有一硅基底；一氧化硅层，形成于硅基底表面上；以及一无定形多晶硅层，形成于氧化硅层表面上，且内部掺杂有一砷离子。

公开(公告)号：CN1489194A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02137394.9

申请日：2002-10-11

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴金刚 ,  刘靓一 ,  罗学辉 ,  李修远

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/324

摘要： 本发明提供一种快速热退火工艺的每日监控的控片，包括有一硅基底；一氧化硅层，形成于硅基底表面上；以及一无定形多晶硅层，形成于氧化硅层表面上，且内部掺杂有一砷离子。

公开(公告)号：CN107104035B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201610094474.6

申请日：2016-02-19

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 呼翔 ,  彭坤 ,  施平 ,  罗学辉 ,  赵连国 ,  李强 ,  王海莲

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种半导体器件安全认证方法，提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，电路元件包括底层抗反射层，电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为半导体器件的密钥。由于电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异，因此电路元件矩阵中至少部分电路元件的元件参数值存在差异，利用元件参数值差异应用于半导体器件的安全认证，具有广泛的发展前景。

公开(公告)号：CN107104035A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610094474.6

申请日：2016-02-19

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 呼翔 ,  彭坤 ,  施平 ,  罗学辉 ,  赵连国 ,  李强 ,  王海莲

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种半导体器件安全认证方法，提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有半导体器件以及至少一个电路元件矩阵，电路元件矩阵包括多个同一种类的电路元件，电路元件包括底层抗反射层，电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异；多次比较电路元件矩阵中任意两个电路元件的元件参数值，并且每次比较的电路元件不完全相同，获得多个比较结果；将获得的多个比较结果构成的序列作为半导体器件的密钥。由于电路元件矩阵中至少部分电路元件的底层抗反射层的形状存在差异，因此电路元件矩阵中至少部分电路元件的元件参数值存在差异，利用元件参数值差异应用于半导体器件的安全认证，具有广泛的发展前景。