本发明涉及半导体技术，特别涉及及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件，主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触附近连接设置有金半接触，通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气耗尽与导通，实现电路的双向触发。常态下，可通过控制金半接触正下方沟道的耗尽长短控制触发的阈值电压；还可通过常态下控制两个金半接触间的导通沟道生长长度实现电路的耐压值可控。本发明的有益效果为，在高温高场强环境下性能稳定，还具有电路耐压值可控的优点。