公开(公告)号：CN105336771A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510626568.9

申请日：2015-09-28

申请人： 西南交通大学

发明人： 汪志刚 ,  王冰 ,  孙江 ,  樊冬冬 ,  杨大力 ,  王亚南

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638

摘要： 本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种高压异质结晶体管。该本发明在传统横向异质结晶体管器件结构的基础上，在器件外延层中部分区间掺杂N型结构以及在硅基衬底层中部分区间掺杂P型耗尽结构，该P型掺杂区以及N型掺杂区的引入使得衬底以及缓冲层均完全耗尽，从而使得衬底承受纵向耐压，进而改善器件的耐压能力；同时，外延层中P型杂质引入也会抬高势垒层高度，阻断漏电流通道，最终减小漏电流。

公开(公告)号：CN104900643A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510203003.X

申请日：2015-06-08

申请人： 西南交通大学

发明人： 汪志刚 ,  陈协助 ,  孙江 ,  樊冬冬 ,  王冰

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件，主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触附近连接设置有金半接触，通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气耗尽与导通，实现电路的双向触发。常态下，可通过控制金半接触正下方沟道的耗尽长短控制触发的阈值电压；还可通过常态下控制两个金半接触间的导通沟道生长长度实现电路的耐压值可控。本发明的有益效果为，在高温高场强环境下性能稳定，还具有电路耐压值可控的优点。

公开(公告)号：CN104900643B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510203003.X

申请日：2015-06-08

申请人： 西南交通大学

发明人： 汪志刚 ,  陈协助 ,  孙江 ,  樊冬冬 ,  王冰

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及半导体技术，特别涉及及一种双向触发的异质结型ESD防护器件。本发明的双向触发的ESD器件，主要采用第二类半导体和第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触附近连接设置有金半接触，通过控制金半接触正下方的沟道二维电子气耗尽与导通，实现电路的双向触发。常态下，可通过控制金半接触正下方沟道的耗尽长短控制触发的阈值电压；还可通过常态下控制两个金半接触间的导通沟道生长长度实现电路的耐压值可控。本发明的有益效果为，在高温高场强环境下性能稳定，还具有电路耐压值可控的优点。