- 专利标题: 使用DC偏压的高功率RF场效应晶体管切换
- 专利标题(英): High power RF field effect transistor switching using DC biases
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申请号: CN201380061808.4申请日: 2013-11-19
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公开(公告)号: CN104904089A公开(公告)日: 2015-09-09
- 发明人: 科迪·B·惠尔兰德 , 琳达·S·艾里什 , 威廉·H·冯诺瓦克 , 加布里埃尔·伊萨克·梅奥
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋献涛
- 优先权: 61/732,232 2012.11.30 US; 13/835,285 2013.03.15 US
- 国际申请: PCT/US2013/070784 2013.11.19
- 国际公布: WO2014/085140 EN 2014.06.05
- 进入国家日期: 2015-05-27
- 主分类号: H02J7/02
- IPC分类号: H02J7/02 ; H02J5/00
摘要:
本发明提供用于在无线功率传送电路中进行调谐的系统、方法及设备。本发明的一个方面提供一种用于调谐的设备。所述设备包含具有栅极、源极及漏极的场效应晶体管,其中所述场效应晶体管经配置以将调谐元件电啮合到AC功率路径。在一些实施例中,源极或漏极接点中的一者处于交流电电压。
公开/授权文献
- CN104904089B 用于在无线功率传送系统中提供调谐的方法和设备 公开/授权日:2017-10-17