Invention Publication
CN104916691A 半导体装置
无效 - 撤回
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN201410379832.9Application Date: 2014-08-04
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Publication No.: CN104916691APublication Date: 2015-09-16
- Inventor: 河野洋志 , 高尾和人
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 徐冰冰; 刘杰
- Priority: 2014-049955 2014.03.13 JP
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78

Abstract:
一种半导体装置,抑制成本上升,抑制误动作的产生,且可靠性高。其具备:第一电极;第二电极;第一导电型的第一半导体区域,设置于上述第一电极与上述第二电极之间;第二导电型的第二半导体区域,设置于上述第一半导体区域与上述第二电极之间;第一导电型的第三半导体区域,设置于上述第二半导体区域与上述第二电极之间,该第三半导体区域的杂质浓度高于上述第一半导体区域的杂质浓度;第三电极,经由第一绝缘膜与上述第三半导体区域、上述第二半导体区域以及上述第一半导体区域接连;以及电容元件部,具有:与上述第二电极电连接的第四电极;与上述第三电极电连接的第五电极;以及设置于上述第四电极与上述第五电极之间的第二绝缘膜。
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IPC分类: