本发明提供一种形成方法至少包括：提供形成有第一铝焊垫和第二铝焊垫放入第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成有连接结构，所述连接结构与所述第一铝焊垫一一对应；将所述第一铝焊垫和连接结构连接，以使得所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；切割所述第二半导体衬底的部分厚度，所述第二半导体衬底被切割处与所述第二铝焊垫对应；利用去离子水对所述第二铝焊垫进行清洗；利用干法刻蚀刻蚀所述第二半导体衬底被切割处，使得所述第二半导体从被切割处断裂，暴露出所述第二铝焊垫；对所述第一半导体衬底和第二半导体进行清洗。本发明的技术方案避免了颗粒附着在第二铝焊垫的表面的问题。