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公开(公告)号：CN112951719B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201911176065.0
申请日：2019-11-26
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括中心区域及边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；形成覆盖所述中心区域基底表面及所述边缘区域基底表面的核心层；在所述核心层内形成第一凹槽，所述第一凹槽底部露出所述基底表面，所述第一凹槽开口呈矩形，所述矩形的至少一个顶角位于所述中心区域核心层内；在所述第一凹槽侧壁上形成侧墙，所述侧墙呈矩形环状结构；刻蚀去除所述中心区域核心层直至露出基底表面，形成第二凹槽，所述侧墙及所述边缘区域核心层构成初始图形层。本发明能够提高所述初始图形层设计的灵活性，后续以所述初始图形层作为掩膜刻蚀基底形成导电通道，有助于提高导电通道设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN107785423B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201610765144.5
申请日：2016-08-30
摘要： 本发明提供一种LDMOS晶体管结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内且分立设置的第一漂移区及第二漂移区；位于所述第一漂移区内的源极及位于所述第二漂移区内的漏极；位于所述半导体衬底上且两侧分别与所述第一漂移区、第二漂移区接触的栅极结构；位于所述第一漂移区中并将所述源极与所述栅极结构隔离的第一隔离结构；位于所述第二漂移区中并将所述漏极与所述栅极结构隔离的第二隔离结构；其中：所述第一隔离结构与第二隔离结构上均设有浮置场板。本发明在源‑栅、漏‑栅之间的隔离结构上设置了一个或多个浮置场板，可以增大耗尽区域面积并减少碰撞电离，从而获得更高的击穿电压及饱和漏电流Idsat，并且不会恶化器件的栅漏电容Cgd及栅源电容Cgs。
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公开(公告)号：CN107658282B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201610597083.6
申请日：2016-07-26
摘要： 本发明提供一种键合结构及其制造方法，所述键合结构具有若干凹槽的图形化晶圆；氧化层，形成于所述图形化晶圆表面，所述氧化层中具有被去除部分氧化层所形成的缓冲槽；键合金属层，形成于所述氧化层上。所述制造方法包括以下步骤，步骤S1：提供一具有若干凹槽的图形化晶圆；步骤S2：于所述图形化晶圆表面形成氧化层，并去除部分的氧化层形成缓冲槽；步骤S3：于所述氧化层上形成键合金属层。本发明提供的一种键合结构及其制造方法，用于解决现有技术中，在键合工艺中，由于压力导致晶圆的前层工艺形成的图形结构发生破损的问题。
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公开(公告)号：CN107305899B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201610255203.4
申请日：2016-04-22
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。所述方法避免了所述涂覆支撑结构(例如金属滤网)与所述晶圆和所述图形传感器器件直接接触，避免了工艺过程造成晶圆表面缺陷的问题，使CMOS图像传感器的性能和良率进一步提高。
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公开(公告)号：CN109385614A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710681563.5
申请日：2017-08-10
摘要： 本发明提供了一种石墨烯薄膜的形成方法、MEMS麦克风及其形成方法，包括：在衬底中引入气体离子和/或气体原子；在衬底上依次形成过渡层和一石墨烯薄膜；在去除过渡层的过程中，由气体离子和/或气体原子在衬底表面上所产生的气泡吸引所述石墨烯薄膜，以使石墨烯薄膜附着在所述衬底上。即，根据本发明提供的形成方法，不需要再额外提供一过渡基底即可将石墨烯薄膜形成在目标基底上，有效节省了成本；并且，石墨烯薄膜是在气泡的吸引下，使其内部的毛细通道自发的与气泡发生桥接进而吸附在衬底上的，从而可有效减小石墨烯薄膜发生开裂或破损的风险。
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公开(公告)号：CN108735727A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710241901.3
申请日：2017-04-14
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
摘要： 本发明揭示了一种晶体管版图结构、晶体管及制作方法。所述版图结构包括半导体衬底、隔离结构、有源区及叉指栅极；其中，所述隔离结构位于所述半导体衬底中；所述有源区位于所述隔离结构中，所述有源区包括第一部分和多对相间隔的第二部分，每对第二部分分别位于所述第一部分相对两侧且突出于所述第一部分；所述叉指栅极位于所述半导体衬底上，所述叉指栅极包括第一栅极条和多个第二栅极条，所述多个第二栅极条与所述第一栅极条相交设置，每个第二栅极条横跨第一部分及一对第二部分。由此通过有源区实现对隔离结构和栅极的部分隔离，可以降低栅极信号震荡时产生的寄生信号的干扰，也就使得晶体管的栅极信号的有效性得到提高。
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公开(公告)号：CN107305899A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610255203.4
申请日：2016-04-22
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成有若干相互间隔的图像传感器器件；在所述晶圆和所述图像传感器器件的上方隔离地形成涂覆支撑结构，以在所述涂覆支撑结构与所述晶圆之间形成隔离空间，并且所述涂覆支撑结构中形成有孔结构；在所述涂覆支撑结构上涂覆干燥固化胶并填充所述孔结构；在所述孔结构的上方通过空气喷枪将所述孔结构中的所述干燥固化胶喷射至所述晶圆上，以形成环绕所述图像传感器器件的保护环。所述方法避免了所述涂覆支撑结构(例如金属滤网)与所述晶圆和所述图形传感器器件直接接触，避免了工艺过程造成晶圆表面缺陷的问题，使CMOS图像传感器的性能和良率进一步提高。
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公开(公告)号：CN107304039A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610240792.9
申请日：2016-04-18
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00666 , B81C1/00531
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有器件图案；提供顶部晶圆，并将所述顶部晶圆与所述底部晶圆相接合；图案化所述顶部晶圆，以在所述顶部晶圆上形成切割线通道，以释放所述顶部晶圆中的应力。本发明提供了一种半导体器件的制作方法，在所述方法中在将底部晶圆和所述顶部晶圆相接合以后，图案化所述顶部晶圆以在所述顶部晶圆上形成切割线通道，以释放所述顶部晶圆接合中形成的应力。在释放所述应力之后很好的解决了目前工艺中顶部晶圆容易脱落的问题。
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公开(公告)号：CN107304038A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610240551.4
申请日：2016-04-18
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有空腔；步骤S2：在所述空腔的表面形成保护层，以覆盖所述空腔；步骤S3：提供顶部晶圆并和所述底部晶圆相接合；步骤S4：反转所述步骤S3中接合后的元件，并在所述底部晶圆的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部。本发明的优点在于：1、有效保护正面空腔(Cavity)，避免受到损坏。2、提高了产品的良率(Yield)。
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公开(公告)号：CN106957044A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610011755.0
申请日：2016-01-08
摘要： 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，形成覆盖第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对第一衬底进行减薄处理；图案化第一衬底，以形成上电极；去除部分牺牲材料层，使所牺牲材料层的侧壁与上电极的侧壁对齐，并在牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；对第二衬底的背面进行刻蚀，以形成下电极以及空腔；刻蚀去除部分牺牲材料层，以使上电极悬浮，位于上电极与第二衬底之间剩余的牺牲材料层作为锚点。根据本发明的方法，避免在湿法刻蚀过程对牺牲材料层造成的过蚀刻，提高MEMS器件的良率和性能。
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