公开了一种双模PMOS晶体管，其具有第一操作模式，在该第一操作模式中，双模PMOS晶体管的开关n阱被偏置到高电压。双模PMOS晶体管具有第二操作模式，在该第二操作模式中，开关n阱被偏置到低于高电压的低电压。双模PMOS晶体管具有一大小和栅极氧化物厚度，该大小和栅极氧化物厚度各自具有不能容适至高电压的持久绑定的数值。n阱电压切换电路使开关n阱偏置以防止对双模PMOS晶体管的电压损坏，而不管其相对较小的大小和薄栅极氧化物厚度。